检测项目
逸出功阈值：测量范围0.5-6.0 eV，精度±0.02 eV
量子效率：波长范围200-1100 nm，灵敏度0.01-100 mA/W
光谱响应特性：扫描步长1 nm，动态范围10-6-103 A/W
表面功函数分布：空间分辨率≤5 μm，能量分辨率0.05 eV
暗电流密度：测量下限1×10-12 A/cm²
温度依赖性：温控范围-196℃至300℃，稳定性±0.1℃
检测范围
金属材料：铜、铝、银及其合金表面处理层
半导体材料：GaAs、InP、SiC等III-V/IV族化合物
光电阴极：多碱阴极（S20/S25）、负电子亲和势阴极
光伏材料：钙钛矿薄膜、有机光伏层状结构
光学镀膜材料：MgF2/Al反射镜涂层、ITO透明导电膜
检测方法
ASTM E1123：紫外光电子能谱法测定逸出功
ISO 18516：场发射显微镜表面功函数分析
GB/T 31985-2015：光电材料量子效率测试规范
IEC 60904-8：光伏器件光谱响应测量方法
GB/T 35011-2018：半导体材料表面态密度测试规程
检测设备
光电子能谱仪（PHI 5000 VersaProbe III）：配备单色化He Iα光源（21.22 eV）和同步辐射模块
量子效率测试系统（Newport QE-PV-SI）：300-1800 nm光谱范围，温度控制模块集成
超真空场发射测试台（Kimball Physics F-100）：极限真空5×10-10 Torr，配备四极质谱仪