检测项目

载流子浓度与迁移率：检测范围1×1017-1×1021 cm-3，误差≤±5%

电阻率分布：测量范围0.1-1000 Ω·cm，四探针法精度±0.5%

晶体结构完整性：XRD半高宽（FWHM）≤0.1°，晶格畸变检测灵敏度0.01%

元素掺杂均匀性：二次离子质谱（SIMS）深度分辨率1 nm，检测限0.1 ppm

热稳定性测试：-196℃至500℃温变循环，热导率测量误差±3%

检测范围

重掺杂硅基半导体（n+/p+型）

锗基窄带隙简并材料

III-V族化合物（GaAs:Te、InP:Zn）

透明导电氧化物（ITO、AZO）

低维量子结构材料（量子点、纳米线）

检测方法

电学性能：ASTM F76（霍尔效应）、GB/T 1551（硅单晶电阻率）

结构分析：ISO 20203（XRD定量相分析）、GB/T 18035（晶格参数测定）

成分检测：ISO 15470（XPS表面分析）、GB/T 17359（EDS能谱法）

热学特性：ASTM E1461（激光闪射法）、GB/T 22588（热膨胀系数）

缺陷表征：ISO 21363（TEM位错密度）、GB/T 32282（光致发光谱）

检测设备

霍尔效应测试系统：Lake Shore 8404，支持0.05-2 T磁场，77-400K变温测试

高分辨X射线衍射仪：Bruker D8 Discover，配备Cu Kα光源（λ=1.5406Å）

飞行时间二次离子质谱：ION-TOF TOF.SIMS 5，质量分辨率m/Δm＞17,000

瞬态热导率分析仪：NETZSCH LFA 467，温度范围RT-1000℃，脉冲宽度0.1-1ms

球差校正透射电镜：FEI Titan G2 60-300，点分辨率0.07 nm，STEM模式EELS分析