检测项目
位错密度：检测范围10³-10¹⁰ cm⁻²，精度±5%
晶界分布：晶粒尺寸0.1-500 μm，取向差角0.1-180°
点缺陷浓度：灵敏度≥0.01 ppm，误差≤±3%
孪晶界面比例：测量范围0.1-50%，分辨率0.05%
晶体取向偏差：角度偏差±0.001°，空间分辨率10 nm
检测范围
单晶硅片（半导体晶圆）
金属合金铸件（钛合金、铝合金）
陶瓷结构材料（氧化锆、碳化硅）
高温超导材料（YBCO、Bi-2212）
光学晶体元件（LiNbO₃、CaF₂）
检测方法
X射线衍射法：ASTM E112-13，GB/T 13298-2015
电子背散射衍射：ISO 643:2019，GB/T 38889-2020
透射电子显微镜：ISO 25498:2018，GB/T 35099-2018
原子力显微镜：ASTM E2859-11(2020)
金相分析法：GB/T 6394-2017，ISO 4499-2:2020
检测设备
场发射扫描电镜：FEI Nova NanoSEM 450，分辨率0.8 nm
X射线衍射仪：Rigaku SmartLab 9kW，角度重复性±0.0001°
电子背散射衍射系统：Oxford Instruments Symmetry S2，采集速度3000点/秒
透射电子显微镜：JEOL JEM-ARM300F，点分辨率0.08 nm
原子力显微镜：Bruker Dimension Icon，Z轴噪声<0.05 nm
金相显微镜：Zeiss Axio Imager.M2m，最大放大倍数1500×