检测项目

位错密度：检测范围10³-10¹⁰ cm⁻²，精度±5%

晶界分布：晶粒尺寸0.1-500 μm，取向差角0.1-180°

点缺陷浓度：灵敏度≥0.01 ppm，误差≤±3%

孪晶界面比例：测量范围0.1-50%，分辨率0.05%

晶体取向偏差：角度偏差±0.001°，空间分辨率10 nm

检测范围

单晶硅片（半导体晶圆）

金属合金铸件（钛合金、铝合金）

陶瓷结构材料（氧化锆、碳化硅）

高温超导材料（YBCO、Bi-2212）

光学晶体元件（LiNbO₃、CaF₂）

检测方法

X射线衍射法：ASTM E112-13，GB/T 13298-2015

电子背散射衍射：ISO 643:2019，GB/T 38889-2020

透射电子显微镜：ISO 25498:2018，GB/T 35099-2018

原子力显微镜：ASTM E2859-11(2020)

金相分析法：GB/T 6394-2017，ISO 4499-2:2020

检测设备

场发射扫描电镜：FEI Nova NanoSEM 450，分辨率0.8 nm

X射线衍射仪：Rigaku SmartLab 9kW，角度重复性±0.0001°

电子背散射衍射系统：Oxford Instruments Symmetry S2，采集速度3000点/秒

透射电子显微镜：JEOL JEM-ARM300F，点分辨率0.08 nm

原子力显微镜：Bruker Dimension Icon，Z轴噪声<0.05 nm

金相显微镜：Zeiss Axio Imager.M2m，最大放大倍数1500×