检测项目
位错密度测定：测量范围10⁴-10¹² cm⁻²，误差≤±5%
位错运动轨迹分析：捕捉1-100 nm尺度动态演变过程
位错类型鉴别（刃型/螺型/混合型）：晶格畸变角度检测精度0.01°
位错网络拓扑结构表征：三维重构分辨率达5 nm
位错与晶界交互作用分析：应力场测量灵敏度0.1 MPa
检测范围
金属材料：铝合金（2xxx/7xxx系列）、钛合金（TC4/TC11）、高温合金（Inconel 718）
半导体材料：单晶硅（<100>/<111>晶向）、GaN外延层
结构陶瓷：氧化铝（Al₂O₃纯度≥99.9%）、氮化硅（Si₃N₄）
纳米晶材料：晶粒尺寸50-500 nm的Cu/Ni基合金
复合材料：碳化硅颗粒增强铝基（SiCp/Al）复合材料
检测方法
透射电镜法：ASTM E112-13、ISO 643:2019
X射线衍射法：GB/T 13298-2015、ISO 24173:2009
电子背散射衍射：GB/T 38804-2020、ASTM E2627-13
化学腐蚀法：GB/T 10561-2005、ASTM E407-07
同步辐射成像：ISO 16783:2021
检测设备
FEI Tecnai G2 F30场发射透射电镜：配备Gatan Orius SC200相机，可实现0.19 nm点分辨率
JEOL JSM-7900F热场发射扫描电镜：搭载Oxford Symmetry EBSD探测器，角分辨率≤0.5°
Bruker D8 ADVANCE X射线衍射仪：配置LYNXEYE XE-T探测器，2θ角精度±0.0001°
Gatan DigiScan Ⅱ电子束扫描控制器：支持10 kHz高速扫描成像
Shimadzu HMV-G21显微硬度计：载荷范围0.01-2000 gf，位移分辨率0.1 μm