检测项目

1.反向恢复时间（trr）：测量0.1A→1μA的电流衰减时间（典型值0.5-5ns）

2.正向压降（VF）：测试IF=100mA时的导通电压（硅材料0.7-1.2V）

3.结电容（Cj）：在VR=5V,f=1MHz条件下测量（0.1-5pF）

4.反向击穿电压（VBR）：施加IR=100μA时的临界电压（20-200V）

5.热阻（RθJC）：功率耗散1W时的结壳热阻（≤50℃/W）

检测范围

1.微波通信系统用超快恢复二极管（trr≤1ns）

2.脉冲调制电路阶跃二极管（工作频率≥3GHz）

3.雷达发射机谐波发生器专用器件

4.电子对抗系统瞬态保护二极管

5.太赫兹波导检波器配套元件

检测方法

GB/T6571-2018《半导体器件分立器件测试方法》第7章瞬态特性测试

IEC60747-5:2007《半导体器件分立器件第5部分：光电子器件》

ASTMF397-21《半导体开关二极管反向恢复时间测试规程》

GJB33A-97《半导体分立器件总规范》附录C动态参数测试

SJ21473-2018《微波二极管测试方法》第4.3节阶跃响应特性

检测设备

KeysightB1505A功率器件分析仪：IV特性/动态参数一体化测试

TektronixDPO73304SX示波器（33GHz带宽）：ns级瞬态波形捕获

AgilentE4991A阻抗分析仪：1MHz-3GHz结电容精确测量

Chroma19032耐压测试仪：0-3kV击穿电压自动扫描

ThermonicsT-3000热阻测试系统：JEDECJESD51标准热特性分析

R&SSMA100B信号发生器：提供20GHz高频激励信号

NIPXIe-4143源测量单元：多通道同步参数采集

ESPECPL-3KFP温控箱：-65℃~+175℃环境模拟

CascadeSummit12000探针台：晶圆级参数测试

AnritsuME7808B网络分析仪：S参数及阻抗特性测量

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与阶跃恢复二极管检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。