检测项目
晶格畸变量测量：测量精度±0.0001nm，畸变范围0.1%-5.0%
残余应力分布：三维应力场重建（±2000MPa）
相变应变分析：相变体积变化率0.01%-3%
界面错配度计算：错配度分辨率≤0.05%
弹性模量梯度测定：模量梯度范围1-500GPa/μm
检测范围
高温合金：镍基单晶叶片、定向凝固涡轮盘
半导体材料：GaN外延层、SiC衬底
金属基复合材料：碳化硅颗粒增强铝基复合材料
功能薄膜：压电薄膜(PZT)、超硬涂层(TiAlN)
纳米结构材料：多层纳米膜(周期1-100nm)
检测方法
X射线衍射法：ASTM E1426/GB/T 8362
电子背散射衍射：ISO 24173/GB/T 38889
中子衍射法：ISO 21485/ASTM E2867
同步辐射技术：ISO/TS 21432
微区拉曼光谱：GB/T 36054/ASTM E2523
检测设备
X射线衍射仪：PANalytical Empyrean（2θ角精度±0.0001°）
场发射扫描电镜：Thermo Scientific Apreo 2（EBSD分辨率≤0.5μm）
中子应力分析仪：HELIOS（应变分辨率5×10-6）
微区力学测试系统：Hysitron TI Premier（载荷分辨率10nN）
高分辨透射电镜：JEOL JEM-ARM300F（点分辨率0.08nm）