检测项目
击穿电压测试：直流/交流模式下≥10kV阈值测定
耦合效率分析：波长范围200-1100nm内传输损耗≤5%
热稳定性试验：-40℃至+150℃循环冲击下的性能衰减率
介电常数测量：频率1MHz-10GHz范围内εr值偏差≤±0.2
等离子体密度校准：电子密度1×1015-1×1018 cm-3精度验证
检测范围
半导体材料：GaN/SiC基功率器件
光学镀膜：ITO透明导电薄膜
微波器件：波导耦合器与环形器
等离子体源：ECR/RF型电离装置
检测方法
ASTM F2138-2017：高压脉冲下介质击穿特性测试规程
ISO 18543:2016：光电子器件耦合效率测量方法
GB/T 16525-2017：半导体器件温度循环试验规范
检测设备
Keysight B1505A功率器件分析仪：支持10kV/1000A高压大电流测试
Agilent N5245A PNA-X网络分析仪：频率范围10MHz-50GHz的S参数测量
Tescan MIRA3 SEM：配备EDS的微观结构表征系统
Cascade Summit 12000探针台：支持-65℃至+300℃温控测试
SRS SIM928等离子体诊断模块：实现ne/Te双参数同步采集