存储容量误差:标称容量与实际可用容量偏差(±3%以内)
读写速度稳定性:连续写入速度(10-200 MB/s)、读取速度波动值(≤5%)
耐久性测试:擦写循环次数(1万-10万次)、数据完整性验证
温度适应性:工作温度(-25℃至85℃)、存储温度(-40℃至105℃)
数据保持能力:断电状态下数据保存周期(1-10年)
SD/TF存储卡:Class 10至UHS-III等级产品
SIM卡:UICC芯片及嵌入式SE安全元件
智能IC卡:接触式/非接触式CPU卡(符合ISO 7816标准)
磁条卡:高矫顽力(HiCo)与低矫顽力(LoCo)介质
RFID标签卡:高频(13.56MHz)与超高频(860-960MHz)产品
ASTM F2659-18:非易失性存储器耐久性评估标准
ISO/IEC 10373-6:2020:智能卡机械强度与电气特性测试方法
GB/T 26225-2010:移动存储介质通用规范(容量标定与误差范围)
SJ/T 11377-2021:闪存类产品数据保持能力试验规程
TIA-1096-A:射频识别卡环境适应性测试程序
CrystalDiskMark 8.0.4 x64:存储介质读写速度基准测试系统(支持NVMe协议)
Terasic HSMC-SDI高速测试平台:多通道并行数据写入/擦除设备(最大支持128通道)
Temptronic TPO-325温控箱:宽温区循环测试装置(精度±0.5℃)
Ametek CTS-740振动台:机械冲击与振动模拟系统(频率范围5-3000Hz)
Aglient N6705C直流电源分析仪:功耗与电气特性测量模块(分辨率1μA)
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与卡片存储量检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。