检测项目

反向击穿电压（VBR）：测试范围5-2000V@25℃±2℃，漏电流≤1μA

正向电压降（VF）：测量条件IF=10mA-5A±0.5%，精度±1mV

结电容（Cj）：频率1MHz±2%，偏压0-30V可调

反向恢复时间（trr）：测试电流IF=1A±5%，VR=30V±1%

热阻（RθJA）：功率耗散1-10W±3%，温度采集精度±0.5℃

检测范围

PIN结构光电二极管（波长400-1700nm）

雪崩光电二极管（APD）

肖特基势垒二极管（SBD）

快恢复二极管（FRD）

TVS保护二极管（击穿电压5-400V）

检测方法

IEC 60747-5:1997 半导体分立器件测试方法

ASTM F1249-06(2018) 反向恢复时间测量标准

GB/T 4023-2015 半导体器件反向特性测试规范

JEDEC JESD22-A108F 温度循环试验标准

GB/T 4937-2012 半导体器件机械和气候试验方法

检测设备

Keysight B1505A功率器件分析仪：支持200A/3kV脉冲测试

Tektronix DPO7254数字示波器（2.5GHz带宽）

Chroma 19032-L交流参数测试系统：精度±0.05%

ESPEC PL-3KPH温度冲击试验箱：转换时间＜10秒

Anritsu MS4647B矢量网络分析仪：频率范围70kHz-70GHz