检测项目
反向击穿电压（VBR）：测试范围5-2000V@25℃±2℃，漏电流≤1μA
正向电压降（VF）：测量条件IF=10mA-5A±0.5%，精度±1mV
结电容（Cj）：频率1MHz±2%，偏压0-30V可调
反向恢复时间（trr）：测试电流IF=1A±5%，VR=30V±1%
热阻（RθJA）：功率耗散1-10W±3%，温度采集精度±0.5℃
检测范围
PIN结构光电二极管（波长400-1700nm）
雪崩光电二极管（APD）
肖特基势垒二极管（SBD）
快恢复二极管（FRD）
TVS保护二极管（击穿电压5-400V）
检测方法
IEC 60747-5:1997 半导体分立器件测试方法
ASTM F1249-06(2018) 反向恢复时间测量标准
GB/T 4023-2015 半导体器件反向特性测试规范
JEDEC JESD22-A108F 温度循环试验标准
GB/T 4937-2012 半导体器件机械和气候试验方法
检测设备
Keysight B1505A功率器件分析仪：支持200A/3kV脉冲测试
Tektronix DPO7254数字示波器（2.5GHz带宽）
Chroma 19032-L交流参数测试系统：精度±0.05%
ESPEC PL-3KPH温度冲击试验箱：转换时间＜10秒
Anritsu MS4647B矢量网络分析仪：频率范围70kHz-70GHz