检测项目
晶粒尺寸分布：测量范围0.1-500μm，误差≤±5%
位错密度分析：分辨率≥10⁴ cm⁻²
晶界角度偏差：角度范围2°-180°，精度±0.1°
残余应力分布：测量范围±2000MPa，重复性误差≤3%
晶体取向偏差：取向差角测量精度±0.05°
检测范围
半导体材料：单晶硅、砷化镓（GaAs）基片
金属合金：钛合金（Ti-6Al-4V）、镍基高温合金
陶瓷材料：氧化铝（Al₂O₃）、氮化硅（Si₃N₄）
光学晶体：氟化钙（CaF₂）、蓝宝石（α-Al₂O₃）
复合材料：碳化硅纤维增强铝基复合材料
检测方法
X射线衍射法（XRD）：ASTM E112-13, GB/T 13298-2015
电子背散射衍射（EBSD）：ISO 24173:2009, GB/T 38885-2020
透射电子显微镜（TEM）：ASTM E2090-12, ISO 21363:2020
同步辐射白光形貌术：GB/T 39489-2020
中子衍射法：ISO 21484:2017
检测设备
X射线衍射仪：PANalytical X'Pert³ MRD XL（晶粒尺寸分析）
场发射扫描电镜：JEOL JSM-7900F（EBSD联用系统）
残余应力分析仪：Proto LXRD（多轴应力测量）
高分辨透射电镜：FEI Talos F200X（位错密度观测）
晶体取向分析系统：Bruker D8 Discover（三维织构表征）
中子衍射仪：Helios Engineering H3-Z6（大体积样品分析）
电子背散射探测器：Oxford Instruments Symmetry EBSD（亚微米级分辨率）