检测项目
载流子浓度：测量范围1e15-1e19 cm⁻³，精度±3%
禁带宽度：测试波长200-2500nm，分辨率0.01eV
折射率特性：测量精度±0.001@632.8nm
缺陷密度：最小检出尺寸0.1μm²
热导率：测试范围0.1-500 W/(m·K)，误差≤5%
载流子迁移率：测量精度±5 cm²/(V·s)
检测范围
III-V族化合物半导体：GaAs单晶片（Φ100-200mm）
宽禁带半导体材料：4H-SiC外延片（厚度5-100μm）
红外光学晶体：ZnSe多晶材料（透过率＞70%@10.6μm）
量子点材料：CdSe/ZnS核壳结构（粒径3-10nm）
二维半导体：MoS₂单层薄膜（厚度0.65±0.1nm）
检测方法
霍尔效应测试：ASTM F76-08(2016)、GB/T 15519-2002
紫外可见分光光度法：ISO 14782:2017、GB/T 14146-2009
椭圆偏振光谱分析：ISO 24113:2011 Class III标准
X射线衍射法：ISO 20203:2018（半峰宽＜0.02°）
激光闪光法：ASTM E1461-13（升温速率10K/min）
扫描电子显微镜：GB/T 27788-2020（加速电压0.5-30kV）
检测设备
Keysight HCS-1A霍尔效应测试系统：四探针配置，磁场强度0.55T
PerkinElmer Lambda1050+双光束分光光度计：波长精度±0.08nm
J.A.Woollam M-2000V椭圆偏振仪：70°入射角配置
Bruker D8 ADVANCE XRD：Cu靶Kα辐射（λ=1.5406Å）
NETZSCH LFA467 HyperFlash：温度范围-120-500℃
TESCAN MIRA4 SEM：二次电子分辨率1.2nm@30kV