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光致抗蚀剂检测

  • 原创官网
  • 2025-03-20 14:17:19
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光致抗蚀剂检测概述:光致抗蚀剂检测是微电子制造与光刻工艺质量控制的核心环节,主要针对其光学性能、化学稳定性及工艺适配性进行系统性分析。关键检测指标包括膜厚均匀性、分辨率、灵敏度、粘附力及残留物含量等,需通过标准化方法确保其在半导体、PCB等领域的应用可靠性。


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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。

☌ 询价

检测项目

膜厚均匀性:测量范围50nm-200μm,允许偏差±5nm(300mm晶圆)

分辨率极限:线宽/间距≤0.2μm(DUV级)至10μm(常规级)

曝光灵敏度:能量阈值10-50 mJ/cm²(i线/g线)

粘附强度:划格法测试≥5B等级(ASTM D3359)

显影残留率:表面颗粒≤0.1%(0.1μm以上缺陷)

检测范围

半导体制造用抗蚀剂:KrF/ArF光刻胶、EUV专用树脂

PCB制程抗蚀剂:干膜型/液态抗蚀剂(LDI专用)

显示面板用光刻胶:彩色滤光片胶、TFT-LCD阵列胶

纳米压印材料:UV固化型压印胶(特征尺寸≤50nm)

厚膜抗蚀剂系统:SU-8系列(厚度≥100μm)

检测方法

ASTM F1761:椭圆偏振法测定膜厚及折射率

ISO 14645:临界尺寸扫描电镜(CD-SEM)分辨率验证

GB/T 16533:阶梯曝光法测定灵敏度曲线

ASTM D3359-23:划格法评估基材粘附性能

GB/T 9722-2022:气相色谱法测定有机残留物

检测设备

KLA-Tencor P-7椭偏仪:非接触式膜厚测量(精度±0.1nm)

Hitachi CG4100 CD-SEM:亚纳米级线宽测量系统

OAI Model 306曝光机:365nm-436nm波段能量控制±1%

Bruker DektakXT轮廓仪:台阶高度测量分辨率0.1Å

Agilent 7890B气相色谱仪:ppb级有机挥发物分析能力

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

  以上是与光致抗蚀剂检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。

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