膜厚均匀性:测量范围50nm-200μm,允许偏差±5nm(300mm晶圆)
分辨率极限:线宽/间距≤0.2μm(DUV级)至10μm(常规级)
曝光灵敏度:能量阈值10-50 mJ/cm²(i线/g线)
粘附强度:划格法测试≥5B等级(ASTM D3359)
显影残留率:表面颗粒≤0.1%(0.1μm以上缺陷)
半导体制造用抗蚀剂:KrF/ArF光刻胶、EUV专用树脂
PCB制程抗蚀剂:干膜型/液态抗蚀剂(LDI专用)
显示面板用光刻胶:彩色滤光片胶、TFT-LCD阵列胶
纳米压印材料:UV固化型压印胶(特征尺寸≤50nm)
厚膜抗蚀剂系统:SU-8系列(厚度≥100μm)
ASTM F1761:椭圆偏振法测定膜厚及折射率
ISO 14645:临界尺寸扫描电镜(CD-SEM)分辨率验证
GB/T 16533:阶梯曝光法测定灵敏度曲线
ASTM D3359-23:划格法评估基材粘附性能
GB/T 9722-2022:气相色谱法测定有机残留物
KLA-Tencor P-7椭偏仪:非接触式膜厚测量(精度±0.1nm)
Hitachi CG4100 CD-SEM:亚纳米级线宽测量系统
OAI Model 306曝光机:365nm-436nm波段能量控制±1%
Bruker DektakXT轮廓仪:台阶高度测量分辨率0.1Å
Agilent 7890B气相色谱仪:ppb级有机挥发物分析能力
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与光致抗蚀剂检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。