检测项目
膜厚均匀性：测量范围50nm-200μm，允许偏差±5nm（300mm晶圆）
分辨率极限：线宽/间距≤0.2μm（DUV级）至10μm（常规级）
曝光灵敏度：能量阈值10-50 mJ/cm²（i线/g线）
粘附强度：划格法测试≥5B等级（ASTM D3359）
显影残留率：表面颗粒≤0.1%（0.1μm以上缺陷）
检测范围
半导体制造用抗蚀剂：KrF/ArF光刻胶、EUV专用树脂
PCB制程抗蚀剂：干膜型/液态抗蚀剂（LDI专用）
显示面板用光刻胶：彩色滤光片胶、TFT-LCD阵列胶
纳米压印材料：UV固化型压印胶（特征尺寸≤50nm）
厚膜抗蚀剂系统：SU-8系列（厚度≥100μm）
检测方法
ASTM F1761：椭圆偏振法测定膜厚及折射率
ISO 14645：临界尺寸扫描电镜（CD-SEM）分辨率验证
GB/T 16533：阶梯曝光法测定灵敏度曲线
ASTM D3359-23：划格法评估基材粘附性能
GB/T 9722-2022：气相色谱法测定有机残留物
检测设备
KLA-Tencor P-7椭偏仪：非接触式膜厚测量（精度±0.1nm）
Hitachi CG4100 CD-SEM：亚纳米级线宽测量系统
OAI Model 306曝光机：365nm-436nm波段能量控制±1%
Bruker DektakXT轮廓仪：台阶高度测量分辨率0.1Å
Agilent 7890B气相色谱仪：ppb级有机挥发物分析能力