检测项目

阱/垒层厚度测量：精度±0.1nm（5-50nm范围）

界面粗糙度分析：RMS值≤0.3nm

材料组分测定：AlGaAs/GaAs体系组分偏差≤0.5%

载流子浓度测试：分辨率1×10¹⁶ cm⁻³

光致发光谱特征：半峰宽≤10meV（77K条件下）

检测范围

III-V族化合物半导体（GaAs/AlGaAs、InGaN/GaN）

量子级联激光器外延片

高电子迁移率晶体管（HEMT）结构

LED外延层堆叠结构

红外探测器超晶格材料

检测方法

X射线衍射法：ASTM E975 / GB/T 23413-2009

透射电子显微镜法：ISO 25498:2018

光致发光谱分析：IEC 62969-3:2020

二次离子质谱法：GB/T 32281-2015

霍尔效应测试：ASTM F76 / GB/T 14264-2013

检测设备

高分辨透射电镜：JEOL JEM-ARM300F（原子级界面成像）

X射线衍射仪：Bruker D8 Discover（超晶格周期测量）

低温PL测试系统：Horiba LabRAM HR Evolution（77K光致发光分析）

二次离子质谱仪：CAMECA IMS 7f-Auto（深度剖面分析）

霍尔效应测试仪：Lake Shore CRX-VF（变温载流子特性测试）

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与多量子阱检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。