检测项目
阱/垒层厚度测量：精度±0.1nm（5-50nm范围）
界面粗糙度分析：RMS值≤0.3nm
材料组分测定：AlGaAs/GaAs体系组分偏差≤0.5%
载流子浓度测试：分辨率1×10¹⁶ cm⁻³
光致发光谱特征：半峰宽≤10meV（77K条件下）
检测范围
III-V族化合物半导体（GaAs/AlGaAs、InGaN/GaN）
量子级联激光器外延片
高电子迁移率晶体管（HEMT）结构
LED外延层堆叠结构
红外探测器超晶格材料
检测方法
X射线衍射法：ASTM E975 / GB/T 23413-2009
透射电子显微镜法：ISO 25498:2018
光致发光谱分析：IEC 62969-3:2020
二次离子质谱法：GB/T 32281-2015
霍尔效应测试：ASTM F76 / GB/T 14264-2013
检测设备
高分辨透射电镜：JEOL JEM-ARM300F（原子级界面成像）
X射线衍射仪：Bruker D8 Discover（超晶格周期测量）
低温PL测试系统：Horiba LabRAM HR Evolution（77K光致发光分析）
二次离子质谱仪：CAMECA IMS 7f-Auto（深度剖面分析）
霍尔效应测试仪：Lake Shore CRX-VF（变温载流子特性测试）