发射极检测

检测项目

掺杂浓度：测量范围1E15~1E21 atoms/cm³，精度±3%

结深：测试范围0.1~10μm，分辨率±5nm

表面形貌：Ra≤0.5μm，缺陷密度＜10/cm²

接触电阻：量程1mΩ·cm²~10Ω·cm²

击穿电压：测试电压0~3000V

检测范围

硅基半导体材料（单晶/多晶硅片）

砷化镓（GaAs）微波器件

双极型晶体管（BJT）

光伏电池P-N结结构

LED芯片外延层

IGBT功率器件

检测方法

二次离子质谱法（SIMS）：ASTM E1504-2018

扩展电阻探针法（SRP）：GB/T 14144-2021

扫描电子显微镜法：ISO 16700:2019

四探针测试法：GB/T 1551-2020

高阻计测试法：IEC 60672-3:2016

X射线光电子能谱（XPS）：ISO 15470:2017

检测设备

PHI 7100二次离子质谱仪：元素深度分析

SSM 5500扩展电阻测试系统：微区电阻率测量

Hitachi SU8200冷场发射扫描电镜：纳米级形貌观测

Keithley 4200A-SCS参数分析仪：I-V特性测试

TEMPTRONIC TP04300热阻测试台：热特性分析

Agilent B1505A功率器件分析仪：击穿特性测试

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"发射极检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。