检测项目
掺杂浓度：测量范围1E15~1E21 atoms/cm³，精度±3%
结深：测试范围0.1~10μm，分辨率±5nm
表面形貌：Ra≤0.5μm，缺陷密度＜10/cm²
接触电阻：量程1mΩ·cm²~10Ω·cm²
击穿电压：测试电压0~3000V
检测范围
硅基半导体材料（单晶/多晶硅片）
砷化镓（GaAs）微波器件
双极型晶体管（BJT）
光伏电池P-N结结构
LED芯片外延层
IGBT功率器件
检测方法
二次离子质谱法（SIMS）：ASTM E1504-2018
扩展电阻探针法（SRP）：GB/T 14144-2021
扫描电子显微镜法：ISO 16700:2019
四探针测试法：GB/T 1551-2020
高阻计测试法：IEC 60672-3:2016
X射线光电子能谱（XPS）：ISO 15470:2017
检测设备
PHI 7100二次离子质谱仪：元素深度分析
SSM 5500扩展电阻测试系统：微区电阻率测量
Hitachi SU8200冷场发射扫描电镜：纳米级形貌观测
Keithley 4200A-SCS参数分析仪：I-V特性测试
TEMPTRONIC TP04300热阻测试台：热特性分析
Agilent B1505A功率器件分析仪：击穿特性测试