检测项目
晶胞常数（a, b, c）测量：精度±0.001 Å
晶面间距（d值）计算：误差≤0.0005 nm
晶体对称性判定：空间群分类与轴比验证
晶格畸变率分析：应变梯度≤0.2%
原子占位率测定：分辨率≥0.01 Å3
检测范围
金属材料：铝合金、钛合金等立方/六方晶体结构
半导体材料：硅基单晶、GaN薄膜等III-V族化合物
陶瓷材料：氧化锆、碳化硅等多相复合体系
纳米材料：量子点、二维材料（如石墨烯）超晶格
高分子材料：半结晶聚合物有序相结构表征
检测方法
X射线衍射法（XRD）：ASTM E1426, GB/T 23413-2009
透射电子显微术（TEM）：ISO 25498:2018, GB/T 27788-2020
中子衍射法：ISO 20565-3:2008
同步辐射高分辨衍射：ISO/TR 10993-22:2017
扫描电子显微术（SEM-EBSD）：ISO 16700:2016, GB/T 30067-2013
检测设备
Bruker D8 ADVANCE XRD：配备LynxEye阵列探测器，角度分辨率0.0001°
Tecnai G2 F30 TEM：点分辨率0.19 nm，配备EDAX能谱仪
Rigaku SmartLab X射线衍射仪：支持薄膜GI-XRD模式
FEI Nova NanoSEM 450：EBSD系统角分辨率≥0.5°
PANalytical Empyrean XRD：具备高温原位测试模块（-196~1600℃）