检测项目
位错密度测定：测量范围104-108 cm-2
位错分布均匀性分析：空间分辨率≤0.5 μm
位错类型鉴别（刃型/螺型/混合型）：取向偏差精度±0.1°
位错运动阻力测试：应力敏感度0.1 MPa-1
位错网络拓扑结构表征：三维重构精度≥95%
检测范围
金属材料：铝合金（2xxx/7xxx系列）、钛合金（TC4/TA15）
半导体材料：单晶硅（<100>/<111>晶向）、砷化镓晶圆
陶瓷材料：氧化铝（Al2O3）、碳化硅（4H-SiC）
复合材料：碳纤维增强环氧树脂基体（CFRP）
高分子材料：超高分子量聚乙烯（UHMWPE）结晶区
检测方法
ASTM E112-13：金相法测定位错蚀坑密度
ISO 643:2020：钢的显微晶粒度评级方法
GB/T 24177-2022：电子背散射衍射（EBSD）技术规范
ASTM F72-15(2021)：X射线衍射法测定位错密度
GB/T 38823-2020：透射电镜位错观测规程
检测设备
TESCAN MIRA6 SEM：配备Oxford Symmetry EBSD系统，空间分辨率1.2 nm
JEOL JEM-2100Plus TEM：点分辨率0.19 nm，配备Gatan K3-IS相机
Bruker D8 ADVANCE XRD：Cu靶Kα辐射（λ=1.5406 Å），角度重复性±0.0001°
Clemex Vision PE金相分析系统：图像解析度6144×4096像素
Ametek G200纳米压痕仪：载荷分辨率50 nN，位移分辨率0.01 nm