结型场效晶体管检测

检测项目

夹断电压（V_GS(off)）：典型范围-0.5V至-10V

饱和漏电流（I_DSS）：测量范围1μA至100mA

跨导（g_m）：测试条件V_DS=10V时1mS至50mS

击穿电压（BV_DSS）：耐压测试20V至500V

开关时间（t_on/t_off）：纳秒级响应时间测量

检测范围

N沟道与P沟道结型场效晶体管

高频应用JFET（截止频率≥1GHz）

高压功率型JFET（耐压≥200V）

低噪声JFET（噪声系数≤2dB）

航天/军工级抗辐射加固器件

检测方法

GB/T 4587-1994《半导体分立器件和集成电路试验方法》

IEC 60747-8:2010《分立半导体器件-场效应晶体管》

ASTM F76-08(2016)《半导体器件电参数标准测试方法》

JESD24-3B《功率场效应晶体管动态参数测试》

SJ/T 10716-2016《半导体器件热特性测试方法》

检测设备

Keysight B1505A功率器件分析仪:支持DC-IV/CV曲线扫描及脉冲测试模式

Tektronix MSO64B混合信号示波器:6GHz带宽用于开关特性分析

Cascade Summit 12000探针台:支持-55℃~300℃温控晶圆级测试

Agilent E5061B网络分析仪:高频S参数测量至3GHz频率范围

Chroma 19032耐压测试仪:最大输出电压5kV/电流20mA安全测试能力

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"结型场效晶体管检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。