检测项目
夹断电压（VGS(off)）：典型范围-0.5V至-10V
饱和漏电流（IDSS）：测量范围1μA至100mA
跨导（gm）：测试条件VDS=10V时1mS至50mS
击穿电压（BVDSS）：耐压测试20V至500V
开关时间（ton/toff）：纳秒级响应时间测量
检测范围
N沟道与P沟道结型场效晶体管
高频应用JFET（截止频率≥1GHz）
高压功率型JFET（耐压≥200V）
低噪声JFET（噪声系数≤2dB）
航天/军工级抗辐射加固器件
检测方法
GB/T 4587-1994《半导体分立器件和集成电路试验方法》
IEC 60747-8:2010《分立半导体器件-场效应晶体管》
ASTM F76-08(2016)《半导体器件电参数标准测试方法》
JESD24-3B《功率场效应晶体管动态参数测试》
SJ/T 10716-2016《半导体器件热特性测试方法》
检测设备
Keysight B1505A功率器件分析仪:支持DC-IV/CV曲线扫描及脉冲测试模式
Tektronix MSO64B混合信号示波器:6GHz带宽用于开关特性分析
Cascade Summit 12000探针台:支持-55℃~300℃温控晶圆级测试
Agilent E5061B网络分析仪:高频S参数测量至3GHz频率范围
Chroma 19032耐压测试仪:最大输出电压5kV/电流20mA安全测试能力