检测项目
1.反向击穿电压（VBR）：测量范围0-3000V±0.5%，击穿电流阈值设定为1mA
2.结电容（Cj）：测试频率1MHz-1GHz±0.1pF，偏置电压0-50V
3.漏电流（IL）：分辨率0.1nA@25℃，最大测试电压2000V
4.热阻（RθJC）：温度循环范围-65℃至+175℃±0.5℃，功率脉冲宽度10μs-100ms
5.结温系数（αT）：温度梯度测试精度±0.1℃/W，热响应时间＜1ms
检测范围
1.硅基双极型晶体管（BJT）发射结结构
2.砷化镓微波功率器件异质结
3.IGBT模块中的P-N-P-N四层结构
4.光伏电池中的发射极-基极结区
5.MEMS传感器中的微型化PN结阵列
检测方法
ASTMF42-20：半导体器件静态参数测试规范
ISO16700:2019：微束分析-电子探针临界参数测定
GB/T4587-94：双极型晶体管测试方法
GB4937-2022：半导体器件机械和气候试验方法
IEC60747-1:2022：分立半导体器件通用标准
检测设备
KeysightB1505A功率器件分析仪：支持10kV/1500A脉冲测试
TektronixDPO7254数字示波器：带宽2.5GHz，采样率40GS/s
ThermoScientificA40红外热成像仪：热分辨率0.03℃@30Hz
AgilentE4980AL精密LCR表：基本精度0.05%@1MHz
Chroma19032耐压测试仪：输出精度±(1%+5V)
ESPECPL-3KPH温度冲击箱：转换时间＜10s(-55℃↔+150℃)
Keithley2636B源表：最小电流分辨率10fA
AdvantestU3741矢量网络分析仪：频率范围10MHz-8GHz
SUSSMicroTecPA300探针台：支持300mm晶圆测试
Fluke1587绝缘电阻测试仪：最大测试电压1000V±3%