检测项目

1.晶面间距测量：误差范围±0.002Å（埃），采用高分辨率X射线衍射技术。

2.晶体取向偏差：测量精度±0.02°，适用于单晶与多晶材料的取向分布统计。

3.晶格畸变率：量化范围0.01%-5%，通过选区电子衍射（SAED）实现局部应变分析。

4.织构系数（TC值）：计算区间0-1，表征多晶体择优取向强度。

5.位错密度测定：分辨率≥10^6/cm²，基于透射电镜（TEM）的暗场成像技术。

检测范围

1.单晶硅片：用于集成电路制造中的晶体生长质量验证。

2.多晶金属材料：包括铝合金、钛合金的轧制板材织构分析。

3.半导体薄膜：GaN、SiC外延层的晶体取向一致性检测。

4.高温合金部件：航空发动机叶片的凝固组织取向评估。

5.陶瓷基复合材料：碳化硅纤维增强相的晶体排列状态测定。

检测方法

1.ASTME2627-2019：电子背散射衍射（EBSD）定量取向分析方法。

2.ISO24173:2021：透射电镜（TEM）晶体学标定操作规范。

3.GB/T13305-2008：X射线衍射法测定金属平均晶粒度标准。

4.ASTME112-2013：金相法测定晶粒尺寸与形态特征。

5.GB/T8362-2018：钢中残余奥氏体含量的X射线测定方法。

检测设备

1.FEIVersa3D双束电镜：配备EDAXHikariEBSD探测器，空间分辨率达1nm。

2.BrukerD8DiscoverXRD衍射仪：配置VANTEC-500二维探测器，角度重复性±0.0001°。

3.JEOLJEM-ARM300F球差校正电镜：可实现原子级分辨率的晶体结构解析。

4.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系统：支持高速面扫描（≥3000点/秒）。

5.PANalyticalEmpyreanX射线平台：配备高温附件（最高1600℃）。

6.ZeissSigma500场发射SEM：集成WDS波谱仪的多模态分析系统。

7.ShimadzuXRD-7000多功能衍射仪：满足薄膜GIXRD测试需求。

8.GatanOneViewCMOS相机：支持4K分辨率的原位TEM动态记录。

9.ThermoFisherScios2DualBeam：聚焦离子束（FIB）样品制备系统。

10.MalvernPanalyticalX'Pert3MRD：高分辨三轴测角仪配置。

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与晶格方位检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。