检测项目

1.正向转折电压(V_BO)：测试条件DC50mA±10%，温度25±2℃

2.反向击穿电压(V_BR)：施加反向电压至漏电流达1mA时的临界值

3.门极触发电流(I_GT)：测量范围0.1-500mA±0.5%FS

4.维持电流(I_H)：持续导通状态下的最小阳极电流，精度±1μA

5.热阻(R_thJC)：结壳间热阻测试，温升速率≤3℃/s

6.通态电压降(V_TM)：额定电流下测试值≤1.6V±2%

7.关断时间(t_q)：测量范围0.1-100μs±5ns

检测范围

1.工业用大功率可控硅整流器（1200-6500V/200-5000A）

2.消费电子用中功率整流器（400-1200V/1-50A）

3.快速开关型整流器（t_q≤10μs）

4.双向可控硅器件（TRIAC）

5.平板压接式/螺栓式封装器件

6.碳化硅(SiC)基新型整流器

7.光控可控硅整流器

检测方法

1.正向阻断特性测试：依据GB/T15291-2015《半导体器件分立器件第6部分:晶闸管》第4.3条款

2.动态参数测量：采用IEC60747-6:2016规定的双脉冲测试法

3.热特性分析：执行GB/T4023-2015规定的红外热成像法

4.失效分析：参照ASTMF1578-18进行加速寿命试验

5.EMC测试：满足GB/T17626.4-2018电快速瞬变脉冲群抗扰度要求

6.安全认证：符合ULE50854-1绝缘系统认证规范

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：IV特性曲线扫描与动态参数测试

2.TektronixDPO7054C示波器：瞬态响应波形捕获（带宽5GHz）

3.Chroma19032耐压测试仪：AC/DC10kV绝缘强度测试

4.FLIRA65sc红外热像仪：热分布成像（精度±1℃）

5.ESPECPL-3KPH温度冲击箱：-70℃~+180℃循环测试

6.HIOKIPW3390功率分析仪：导通损耗测量（精度±0.05%）

7.Agilent4294A阻抗分析仪：结电容C_j测量（40Hz-110MHz）

8.EMTESTUCS500N群脉冲发生器：4kV/5kHz干扰模拟

9.ThermoScientificCROSSBOSS探针台：微区电特性分析

10.OlympusBX53M金相显微镜：芯片结构缺陷观测（2000X）