检测项目

1.次级电子产额（SEY）测量：能量范围0.1-10keV，入射角0-85

2.二次电子能量分布分析：分辨率≤0.5eV

3.表面功函数测定：精度0.02eV

4.温度依赖性测试：温控范围-150C至+300C

5.表面污染度评估：XPS元素分析灵敏度≥0.1at%

检测范围

1.金属薄膜（铜、铝、钛合金镀层）

2.半导体材料（SiC、GaN、金刚石薄膜）<3>航天器表面介质材料（聚酰亚胺、氧化铝陶瓷）

4.真空电子器件电极材料（钨钼合金、覆铜钼）

5.粒子加速器腔体内壁涂层（氮化钛、非晶碳）

检测方法

ASTME1523-15：材料表面二次电子发射特性测试规程

ISO14706:2014：表面化学分析-俄歇电子能谱法测定元素组成

GB/T28893-2012：表面化学分析-二次离子质谱分析方法通则

GB/T39456-2020：真空电子器件用金属材料次级电子发射系数测试方法

IEC60749-39:2006：半导体器件热载流子效应测试方法

检测设备

1.KEITHLEY4200-SCS参数分析仪：实现nA级微弱电流测量

2.PHI5000VersaProbeIIIXPS系统：配备单色化AlKα射线源

3.SPECSPHOIBOS150电子能量分析器：能量分辨率达0.25eV

4.RIBERCompact-12分子束外延系统：超高真空环境（≤510^-10Torr）

5.ThermoScientificPrismaProQMS200质谱仪：质量范围1-200amu

6.JEOLJAMP-9500FAuger微探针：空间分辨率≤8nm

7.AgilentB1500A半导体器件分析仪：脉冲测量模式100ns分辨率

8.PfeifferVacuumHiPace700涡轮分子泵：抽速685L/s

9.LakeShoreCRX-VF低温探针台：4K~500K温控系统

10.FEIVerios460L场发射扫描电镜：配备Everhart-Thornley二次电子探测器