1.晶格常数偏差测量:分辨率≤0.001nm(ASTME112-13)
2.晶格畸变率分析:测量范围0.01%-5%(ISO24173:2009)
3.取向角偏差检测:精度0.05(GB/T13298-2015)
4.位错密度计算:灵敏度≥10^6/cm(ASTME2627-13)
5.残余应力分布测定:空间分辨率50nm(GB/T4339-2008)
1.半导体材料:硅(Si)、砷化镓(GaAs)等单晶基片
2.金属合金:镍基高温合金、钛铝合金
3.陶瓷基复合材料:碳化硅纤维增强陶瓷
4.光学晶体:氟化钙(CaF2)、蓝宝石(Al2O3)
5.纳米涂层材料:类金刚石(DLC)薄膜、氮化钛(TiN)涂层
1.X射线衍射法:ASTME915-19(残余应力分析)
2.电子背散射衍射:ISO16700:2016(微区取向测定)
3.高分辨透射电镜:GB/T27788-2020(原子级晶格成像)
4.激光干涉法:ISO10110-5:2015(表面形变测量)
5.同步辐射技术:GB/T36075.3-2018(三维晶格重构)
1.JEOLJEM-ARM300F:场发射透射电镜(原子分辨率0.08nm)
2.BrukerD8Discover:X射线衍射仪(Cu靶Kα辐射源)
3.ZeissGeminiSEM500:场发射扫描电镜(EBSD探头分辨率3nm)
4.RigakuSmartLab:高分辨XRD系统(平行光路CBO技术)
5.Keysight5500AFM:原子力显微镜(接触模式分辨率0.1nm)
6.MalvernPanalyticalEmpyrean:多功能衍射平台(应力分析模块)
7.OxfordInstrumentsSymmetry:EBSD探测器(高速CMOS传感器)
8.HitachiHF5000:冷场发射TEM(点分辨率0.1nm)
9.ShimadzuXRD-7000:多功能衍射仪(高温附件可达1600℃)
10.ThermoFisherScios2:双束FIB-SEM系统(三维重构功能)
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与空间晶格干涉检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。