检测项目

1.晶格常数偏差测量：分辨率≤0.001nm（ASTME112-13）

2.晶格畸变率分析：测量范围0.01%-5%（ISO24173:2009）

3.取向角偏差检测：精度0.05（GB/T13298-2015）

4.位错密度计算：灵敏度≥10^6/cm（ASTME2627-13）

5.残余应力分布测定：空间分辨率50nm（GB/T4339-2008）

检测范围

1.半导体材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)等单晶基片

2.金属合金：镍基高温合金、钛铝合金

3.陶瓷基复合材料：碳化硅纤维增强陶瓷

4.光学晶体：氟化钙(CaF2)、蓝宝石(Al2O3)

5.纳米涂层材料：类金刚石(DLC)薄膜、氮化钛(TiN)涂层

检测方法

1.X射线衍射法：ASTME915-19（残余应力分析）

2.电子背散射衍射：ISO16700:2016（微区取向测定）

3.高分辨透射电镜：GB/T27788-2020（原子级晶格成像）

4.激光干涉法：ISO10110-5:2015（表面形变测量）

5.同步辐射技术：GB/T36075.3-2018（三维晶格重构）

检测设备

1.JEOLJEM-ARM300F：场发射透射电镜（原子分辨率0.08nm）

2.BrukerD8Discover：X射线衍射仪（Cu靶Kα辐射源）

3.ZeissGeminiSEM500：场发射扫描电镜（EBSD探头分辨率3nm）

4.RigakuSmartLab：高分辨XRD系统（平行光路CBO技术）

5.Keysight5500AFM：原子力显微镜（接触模式分辨率0.1nm）

6.MalvernPanalyticalEmpyrean：多功能衍射平台（应力分析模块）

7.OxfordInstrumentsSymmetry：EBSD探测器（高速CMOS传感器）

8.HitachiHF5000：冷场发射TEM（点分辨率0.1nm）

9.ShimadzuXRD-7000：多功能衍射仪（高温附件可达1600℃）

10.ThermoFisherScios2：双束FIB-SEM系统（三维重构功能）