二硅化钽检测

检测项目

1.化学成分分析：测定Ta含量（68.5-70.2wt%）、Si含量（29.8-31.5wt%）、杂质元素（O≤0.3%、C≤0.15%）

2.晶体结构表征：XRD分析六方晶系（P6/mmm空间群），晶胞参数a=4.830.02、c=6.570.03

3.热膨胀系数测试：20-1500℃范围内CTE≤8.610⁻⁶/K

4.电阻率测定：室温下体电阻率≤35μΩcm

5.显微硬度测试：维氏硬度≥12GPa（载荷500gf）

检测范围

1.高温合金基体中的TaSi₂增强相

2.半导体器件用溅射靶材（纯度≥99.95%）

3.热防护涂层中的TaSi₂-SiC复合体系

4.集成电路扩散阻挡层薄膜（厚度50-200nm）

5.核反应堆控制棒包覆材料

检测方法

1.ASTME1587-16：电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）测定主量元素

2.ISO14707:2015：辉光放电质谱法（GD-MS）分析痕量杂质

3.GB/T223.72-2008：X射线荧光光谱法定量分析硅钽比

4.ASTME112-13：电子背散射衍射（EBSD）测定晶粒取向分布

5.GB/T4339-2008：激光闪射法测量热扩散系数

检测设备

1.PANalyticalEmpyreanX射线衍射仪：配备高温附件（最高1600℃），精度0.001

2.HitachiSU5000场发射扫描电镜：分辨率1nm@15kV，配备EDAX能谱仪

3.NetzschDIL402C热膨胀仪：温度范围RT-1600℃，膨胀量分辨率0.125nm

4.Agilent7900ICP-MS：检出限达ppt级，质量数范围2-260amu

5.KeysightB1500A半导体参数分析仪：电流测量下限0.1fA

6.LecoRH404氢氧氮分析仪：氧检测限0.05ppm

7.ShimadzuHMV-G21显微硬度计：最大载荷2kgf，光学放大倍数400

8.LinseisLFA1600激光导热仪：测试范围0.1-2000mm/s

9.BrukerD8ADVANCEXRD：配备LYNXEYEXE探测器

10.MalvernPanalyticalZetasizerNanoZSP：粒径分析范围0.3nm-10μm

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"二硅化钽检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。