检测项目

1.载流子浓度：测量范围1E14~1E20cm⁻，精度3%

2.击穿电压：测试范围50V~10kV，上升速率100V/μs

3.迁移率：霍尔效应法测定电子/空穴迁移率(100~15000cm/Vs)

4.漏电流特性：纳安级电流测量(10pA~1mA)，温度范围-65℃~300℃

5.界面态密度：C-V法测试(1E10~1E13eV⁻cm⁻)

检测范围

1.硅基半导体材料：单晶硅/多晶硅衬底及外延层

2.III-V族化合物：GaAs、GaN、InP等微波器件材料

3.宽禁带半导体：SiC、金刚石薄膜功率器件材料

4.有机半导体：OTFT用并五苯/P3HT聚合物薄膜

5.二维材料：石墨烯/二硫化钼异质结器件

检测方法

1.ASTMF76-08(2016)：霍尔效应参数标准测试规程

2.ISO16269-4:2010：半导体晶圆几何尺寸测量规范

3.GB/T1550-2018：硅单晶导电类型测定方法

4.JESD22-A108F：温度循环可靠性试验标准

5.GB/T35010-2018：碳化硅单晶片表面质量检验

检测设备

1.KeysightB1500A：半导体器件分析仪（IV/CV/脉冲测试）

2.Agilent4155C：精密参数分析仪（超低电流测量）

3.ThermoScientificDXR3：显微拉曼光谱仪（应力/结晶度分析）

4.BrukerDimensionIcon：原子力显微镜（表面形貌/电势分布）

5.FEIHeliosG4UX：双束电镜系统（纳米级截面制备）

6.Keithley4200A-SCS：参数测试系统（多通道并行测量）

7.OxfordInstrumentsPlasmaPro100：ICP刻蚀设备（界面特性研究）

8.TASMicroMT200：高低温探针台（-196℃~300℃环境测试）

9.HitachiSU8200：场发射扫描电镜（微区成分分析）

10.BrukerD8Discover：X射线衍射仪（晶体结构表征）