半导体存储器检测

检测项目

1.数据保持能力测试：温度循环（-40℃~125℃），断电状态下数据保留时间≥10年

2.读写速度验证：随机存取时间≤25ns（DRAM），页编程时间≤200μs（NANDFlash）

3.耐久性测试：NANDFlash擦写次数≥10^5cycles（MLC型），NORFlash擦写次数≥10^6cycles

4.功耗特性分析：待机电流≤5μA（1.8V供电），动态电流≤50mA@100MHz

5.信号完整性测试：建立/保持时间余量≥0.5ns，时钟抖动≤10psRMS

检测范围

1.DRAM芯片：包括DDR4/DDR5/LPDDR5等高速动态存储器

2.NANDFlash：涵盖SLC/MLC/TLC/QLC架构及3D堆叠产品

3.NORFlash：主要针对代码存储应用的并行/串行接口器件

4.SRAM模块：高速缓存用6T/8T单元结构存储器

5.新型存储器：ReRAM/PCRAM/MRAM等非易失性存储介质

检测方法

1.JESD22-A117E：数据保持能力加速测试（温度偏压法）

2.JESD22-A105B：耐久性循环测试（温度-电压复合应力）

3.GB/T15878-2021：半导体存储器电参数测试方法规范

4.ISO26262-8:2018：汽车级存储器件功能安全验证

5.ASTMF1249-20：非易失性存储器数据保持特性评估

检测设备

1.KeysightB1500A半导体参数分析仪：支持pA级漏电流测量及IV/CV特性分析

2.AdvantestT5830存储测试系统：最高支持8通道并行测试，速率达3200MT/s

3.ThermoStreamT-2600温度冲击箱：-70℃~+225℃温变速率＞60℃/min

4.TektronixMSO68B示波器：8GHz带宽用于时序参数测量

5.Chroma33622A电源模拟器：输出纹波＜1mVpp的精密供电系统

6.XeltekSuperPro6100编程器：支持NANDFlash坏块管理算法验证

7.ESPECSH-642湿热试验箱：湿度控制精度2%RH（10%~98%RH）

8.AgilentN6705B模块化电源系统：多路独立电源同步控制功能

9.FlukeTi450红外热像仪：空间分辨率≤1.1mrad的芯片发热分析

10.CascadeSummit12000探针台：支持300mm晶圆级参数测试

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"半导体存储器检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。