电子束光刻检测

检测项目

1.线宽精度测量：测量实际线宽与设计值的偏差范围（2nm以内）

2.边缘粗糙度分析：量化图形边缘的均方根粗糙度（≤1.5nmRMS）

3.套刻精度检测：多层图形对准误差测量（≤3nm@3σ）

4.图形保真度评估：特征尺寸重复性误差（CDU≤1.8nm）

5.抗蚀剂对比度测试：显影后坡度角测量（85-89）

6.曝光剂量窗口验证：临界尺寸随剂量变化率（≤0.1nm/μCcm）

检测范围

1.半导体器件：FinFET栅极结构、DRAM存储单元等特征尺寸≤7nm的元件

2.光子芯片：硅基光波导器件（截面尺寸100200nm5nm）

3.纳米压印模板：周期结构阵列（线宽10-50nm,周期误差≤0.5%）

4.MEMS器件：微机械悬臂梁结构（厚度控制3nm）

5.量子器件：超导量子比特约瑟夫森结（关键尺寸20-50nm）

6.X射线光学元件：菲涅尔波带片（最外环宽15nm0.8nm）

检测方法

1.ASTMF42-20《半导体器件线宽测量的标准指南》规定CD-SEM测量流程

2.ISO14606:2015《微电子束分析-临界尺寸扫描电镜法》规范图像采集参数

3.GB/T35097-2018《微纳加工技术电子束光刻工艺规范》定义剂量测试方法

4.ISO25498:2018《微束分析-电子探针显微分析-定量分析用标样规范》

5.GB/T39143-2020《纳米制造关键尺寸量测原子力显微镜法》规定AFM探针选择标准

6.SEMIP35-1103《电子束光刻系统性能表征指南》制定系统稳定性测试程序

检测设备

1.HitachiCG6300CD-SEM：配备12keV冷场发射源，分辨率0.8nm@1kV

2.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：ScanAsyst模式实现0.1nm垂直分辨率

3.ZeissGeminiSEM500：镜筒内二次电子探测器实现1.2nm@15kV分辨率

4.KLAeDR7280电子束缺陷检测系统：每小时300片晶圆的全自动扫描能力

5.RaithVELIONFIB-SEM双束系统：聚焦离子束剖面制备与三维重构功能

6.ParkNX-Hivac真空原子力显微镜：10^-8Torr环境下实现亚埃级表面形貌测量

7.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探测器：结合EBSD进行晶体取向相关性分析

8.ThermoFisherHeliosG4UXe双束电镜：1nm分辨率FIB加工与STEM成像联用系统

9.Keysight9500AFM系统：声学隔离设计实现0.02nmRMS噪声水平

10.JEOLJSM-7900F场发射扫描电镜：低电压模式下实现1.0nm@1kV分辨率

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"电子束光刻检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。