检测项目
1.载流子浓度分布：测量1e14-1e18cm⁻范围内的掺杂浓度梯度
2.耗尽层宽度：分析0.1-50μm范围的PN结空间电荷区扩展
3.电场强度分布：量化10-10⁶V/cm电场梯度变化
4.界面态密度：检测1e10-1e13cm⁻eV⁻界面缺陷浓度
5.反向漏电流：评估1nA-1μA量级的反向偏置漏电特性
检测范围
1.半导体材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)等单晶/外延片
2.光伏材料：多晶硅薄膜、钙钛矿太阳能电池功能层
3.MEMS器件：压电材料(PZT)、热释电材料(LiTaO3)的界面特性
4.绝缘材料：SiO₂介质层、Al₂O₃钝化层的电荷陷阱分布
5.金属-半导体接触：Au/Ni/GaN、Ti/Pt/Si等肖特基结特性
检测方法
1.ASTMF1392：汞探针C-V法测定载流子浓度
2.ISO14707:2015：SIMS深度剖析掺杂元素分布
3.GB/T1550：半导体材料电阻率四探针测试法
4.JISH0605：扩展电阻法(SRP)二维浓度分布测试
5.GB/T4298-2017：深能级瞬态谱(DLTS)缺陷分析
6.IEC60904-10：光伏器件耗尽区特性EBIC测试法
检测设备
1.KeysightB1500A半导体分析仪：C-V/I-V特性测试（精度0.3fF）
2.ThermoFisherScientificSIMSVII：二次离子质谱仪（深度分辨率＜1nm）
3.KLASurfscanSP7：表面电荷扫描系统（灵敏度0.01pC）
4.BrukerDimensionIcon：扫描电容显微镜（空间分辨率10nm）
5.OxfordInstrumentsPlasmaPro100：反应离子刻蚀系统（刻蚀速率控制2%）
6.HORIBALabRAMHREvolution：显微拉曼光谱仪（激光波长325-785nm可调）
7.Agilent4156C精密参数分析仪：纳安级漏电流测量（分辨率0.1fA）
8.VeecoDektakXT轮廓仪：台阶高度测量（垂直分辨率0.1）
9.Keithley4200A-SCS参数分析系统：脉冲式DLTS测试（温度范围77-500K）
10.ZeissCrossbeam550LFIB-SEM：聚焦离子束剖面制备（定位精度5nm）