耗尽深度检测

检测项目

1.载流子浓度分布：测量1e14-1e18cm⁻范围内的掺杂浓度梯度

2.耗尽层宽度：分析0.1-50μm范围的PN结空间电荷区扩展

3.电场强度分布：量化10-10⁶V/cm电场梯度变化

4.界面态密度：检测1e10-1e13cm⁻eV⁻界面缺陷浓度

5.反向漏电流：评估1nA-1μA量级的反向偏置漏电特性

检测范围

1.半导体材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)等单晶/外延片

2.光伏材料：多晶硅薄膜、钙钛矿太阳能电池功能层

3.MEMS器件：压电材料(PZT)、热释电材料(LiTaO3)的界面特性

4.绝缘材料：SiO₂介质层、Al₂O₃钝化层的电荷陷阱分布

5.金属-半导体接触：Au/Ni/GaN、Ti/Pt/Si等肖特基结特性

检测方法

1.ASTMF1392：汞探针C-V法测定载流子浓度

2.ISO14707:2015：SIMS深度剖析掺杂元素分布

3.GB/T1550：半导体材料电阻率四探针测试法

4.JISH0605：扩展电阻法(SRP)二维浓度分布测试

5.GB/T4298-2017：深能级瞬态谱(DLTS)缺陷分析

6.IEC60904-10：光伏器件耗尽区特性EBIC测试法

检测设备

1.KeysightB1500A半导体分析仪：C-V/I-V特性测试（精度0.3fF）

2.ThermoFisherScientificSIMSVII：二次离子质谱仪（深度分辨率＜1nm）

3.KLASurfscanSP7：表面电荷扫描系统（灵敏度0.01pC）

4.BrukerDimensionIcon：扫描电容显微镜（空间分辨率10nm）

5.OxfordInstrumentsPlasmaPro100：反应离子刻蚀系统（刻蚀速率控制2%）

6.HORIBALabRAMHREvolution：显微拉曼光谱仪（激光波长325-785nm可调）

7.Agilent4156C精密参数分析仪：纳安级漏电流测量（分辨率0.1fA）

8.VeecoDektakXT轮廓仪：台阶高度测量（垂直分辨率0.1）

9.Keithley4200A-SCS参数分析系统：脉冲式DLTS测试（温度范围77-500K）

10.ZeissCrossbeam550LFIB-SEM：聚焦离子束剖面制备（定位精度5nm）

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"耗尽深度检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。