检测项目

1.电流增益（hFE）：测量范围0.1-1000倍，精度1.5%

2.基极-发射极击穿电压（V_BE）：测试电压0-50V，分辨率1mV

3.反向漏电流（I_CBO）：量程1nA-10mA，温度补偿范围-55℃~150℃

4.饱和压降（V_CE(sat)）：测量精度0.5%，最大测试电流20A

5.热阻特性（Rth）：温控精度0.3℃，功率循环次数≥10000次

检测范围

1.硅基双极型晶体管（BJT）

2.锗基高频功率管

3.砷化镓异质结器件（HBT）

4.IGBT模块基极驱动单元

5.光耦器件输入级晶体管

检测方法

ASTMF533-19：晶体管直流参数测试规范

IEC60747-8：分立器件热特性测量

GB/T4587-94：半导体器件反向特性测试方法

JEDECJESD28-B：功率循环加速试验标准

GB/T17573-2021：半导体器件基本额定值规范

检测设备

KeysightB1505A功率器件分析仪：支持2000V/1500A脉冲测试

TektronixMSO64示波器：带宽6GHz，支持动态参数捕捉

Chroma3700系列高精度源表：最小电流分辨率10fA

ESPECTSE-11-A热冲击试验箱：温变速率30℃/min

ThermoScientificCL6红外热像仪：空间分辨率15μm

Agilent4156C精密半导体参数分析仪：支持多通道并行测试

Fluke8588A参考级万用表：8.5位分辨率基准测量

HIOKIIM3590阻抗分析仪：频率范围10μHz~200MHz

CascadeSummit12000探针台：支持12英寸晶圆级测试

NIPXIe-4143模块化仪器：集成SMU功能的高速测试系统