检测项目

1.反向击穿电压（VBR）：测试范围0-50kV@25℃2℃，精度0.5%

2.正向压降（VF）：测量条件DC1A-100A@125℃，误差≤1.5%

3.漏电流（IR）：测试电压80%VBR@150℃，分辨率0.1μA

4.温度特性：-55℃至+175℃循环测试△VBR≤5%

5.绝缘电阻：DC500V@RH90%，阻值≥10GΩ

6.热阻测试（Rth）：功率脉冲1ms@200W，温升≤0.8℃/W

检测范围

1.电力电子模块用硅堆：工作电压10kV-100kV级封装器件

2.整流器组件：三相桥式/单相全波整流单元

3.高频高压电源：X射线发生器/激光电源专用堆栈

4.半导体器件封装材料：有机硅凝胶/环氧树脂结合界面

5.汽车电子系统：新能源车OBC模块高压整流单元

检测方法

GB/T6571-2016《半导体器件分立器件测试方法》：反向击穿电压及漏电流测试规范

ASTMF1234-18《功率半导体热特性标准试验方法》：热阻及结温测试流程

IEC60747-5:2007《分立半导体器件规范》：动态参数测试要求

GB/T4586-2017《半导体器件机械和气候试验方法》：温度循环及湿热试验程序

ISO16750-4:2010《道路车辆电气环境条件》：汽车级硅堆振动与冲击试验标准

检测设备

KeysightB1505A功率器件分析仪：最大输出3kV/1500A，支持μs级脉冲测试

Chroma19032高压测试系统：50kV耐压测试精度0.2%，集成安全互锁装置

TektronixDMM6500六位半数字表：100nV分辨率漏电流测量模块

ESPECPL-3KPH温度冲击箱：-70℃至+180℃转换时间＜5min

HIOKIIR4056绝缘电阻计：1000V量程下10TΩ测量能力

FLIRA655sc红外热像仪：50Hz帧频热分布监测系统

B&K4809振动台：20Hz-2000Hz随机振动谱模拟

Agilent4294A阻抗分析仪：40Hz-110MHz频段封装材料介电特性分析

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与高压硅堆检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。