检测项目

1.反向击穿电压（Vrrm）：测试额定重复峰值电压下的绝缘强度（典型范围1000-5000V）

2.正向压降（VF）：测量额定电流下的导通压降（标准值≤1.8V@25℃）

3.反向恢复时间（Trr）：评估关断特性（要求≤100ns@200A/μs）

4.热阻（Rth(j-c)）：验证结壳间热传导性能（目标值≤0.15℃/W）

5.浪涌电流耐受（IFSM）：验证非重复性过载能力（测试条件8.3ms半波）

检测范围

1.硅基多阳极高压整流模块（工作电压≥3kV）

2.碳化硅(SiC)宽禁带半导体整流组件

3.轨道交通用强迫风冷式整流单元

4.电解电镀行业大电流整流装置（额定电流≥50kA）

5.高频开关电源配套快恢复整流模组

检测方法

ASTMF3603-22：半导体器件高温动态特性测试规范

IEC60747-9:2019：分立器件-整流二极管测试通则

GB/T4023-2015：半导体器件反向阻断三极晶闸管测试方法

GB/T15291-2015：半导体器件分立器件第6部分：晶闸管

ISO18553:2020：功率电子模块热特性测量方法

检测设备

KeysightB1505A功率器件分析仪：支持10kV/1500A参数测试

TektronixDPO7054C数字示波器：4GHz带宽动态特性分析

Chroma17011可编程直流负载：2000V/1200A静态参数测试

ThermoScientificT3Ster瞬态热阻测试系统：μs级热响应测量

ESPECPL-3KFP恒温恒湿箱：-70℃~180℃环境模拟

HIOKIPW3390功率分析仪：0.05%精度电能质量测试

FLIRA8301sc红外热像仪：空间分辨率640480热分布监测

Agilent4294A阻抗分析仪：40Hz-110MHz频域特性测试

AMETEKCSW9000浪涌测试系统：符合IEC61000-4-5标准