检测项目

1.晶格常数偏差：测量实际晶格与理论值的轴向差异（0.05精度）

2.结点缺陷密度：定量分析空位/间隙原子浓度（分辨率≥10^15/cm）

3.位错密度：计算单位体积内线缺陷数量（误差范围5%）

4.残余应力分布：三维应力场测定（量程0-5GPa）

5.元素偏析度：结点区域成分偏离度分析（EDS/WDS联用）

检测范围

1.半导体材料：硅基芯片、GaN外延层等电子器件晶体结构

2.金属合金：钛合金/镍基高温合金相变组织分析

3.陶瓷材料：氧化锆/碳化硅等结构陶瓷晶界特性

4.高分子晶体：液晶显示材料有序度评价

5.复合材料：金属基复合界面扩散层表征

检测方法

1.X射线衍射法：ASTME1426标准三维倒易空间扫描技术

2.透射电子显微术：ISO25498:2018选区电子衍射标定规程

3.同步辐射分析：GB/T36075.3-2018高能X射线劳厄衍射法

4.中子衍射法：ISO21484:2017残余应力无损检测规范

5.原子探针层析：GB/T38783-2020三维原子重构技术要求

检测设备

1.PANalyticalEmpyreanX射线衍射仪：配备Pixel3D探测器，支持高速θ-2θ联动扫描

2.JEOLJEM-ARM300F球差校正透射电镜：空间分辨率0.08nm，配备GatanK3直接电子探测器

3.BrukerD8DISCOVER同步辐射系统：采用VANTEC-500二维探测器，能量范围5-40keV

4.CAMECALEAP5000XR原子探针：激光脉冲模式温度控制精度0.5K

5.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系统：角分辨率0.5，最大采集速率4000点/秒

6.RigakuSmartLab高分辨衍射仪：配备交叉光路光学系统，最小步长0.0001

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与附加晶格结点检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。