检测项目

1.反向击穿电压（VRRM）：测量范围0-10kV，精度0.5%

2.漏电流值（IR）：量程1nA-10mA，分辨率0.1pA

3.温度特性曲线：-55℃至+175℃温控测试

4.时间依赖性漏电流（TDDB）：持续72小时老化监测

5.动态反向恢复特性：上升时间≤10ns的脉冲测试

检测范围

1.半导体分立器件：整流二极管、肖特基二极管、晶闸管

2.功率模块：IGBT模块、SiCMOSFET模块

3.集成电路：CMOS工艺芯片的ESD保护结构

4.光伏材料：太阳能电池PN结反向特性

5.高压电容器：陶瓷电容器、薄膜电容器的介质泄漏

检测方法

1.ASTMF1241-22：半导体器件反向漏电流标准测试规程

2.IEC60747-1:2022分立器件通用测试方法第6章

3.GB/T6571-2023半导体二极管反向特性试验方法

4.JESD22-A108F电子器件加速寿命测试标准

5.ISO16750-4:2023汽车电子部件环境试验要求

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持10kV/1μA级高精度测试

2.TektronixPA3000功率分析仪：宽范围电压/电流波形捕获

3.Chroma19032耐压测试系统：符合IEC61010-1安全标准

4.Keithley4200A-SCS参数分析仪：pA级微弱电流测量模块

5.ESPECT-242热冲击试验箱：快速温变率≥15℃/min

6.HiokiST5520表面电阻测试仪：四端子法接触阻抗消除

7.Fluke1587FC绝缘电阻测试仪：1000VDC耐压测试功能

8.Agilent4156C精密半导体分析仪：CV/IV综合特性分析

9.HIOKIPW3390功率分析仪：50ms高速采样模式

10.ThermoScientificCMD500电化学工作站：时域/频域联合分析

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与反向漏电流检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。