检测项目
1.反向击穿电压（VRRM）：测量范围0-10kV，精度0.5%
2.漏电流值（IR）：量程1nA-10mA，分辨率0.1pA
3.温度特性曲线：-55℃至+175℃温控测试
4.时间依赖性漏电流（TDDB）：持续72小时老化监测
5.动态反向恢复特性：上升时间≤10ns的脉冲测试
检测范围
1.半导体分立器件：整流二极管、肖特基二极管、晶闸管
2.功率模块：IGBT模块、SiCMOSFET模块
3.集成电路：CMOS工艺芯片的ESD保护结构
4.光伏材料：太阳能电池PN结反向特性
5.高压电容器：陶瓷电容器、薄膜电容器的介质泄漏
检测方法
1.ASTMF1241-22：半导体器件反向漏电流标准测试规程
2.IEC60747-1:2022分立器件通用测试方法第6章
3.GB/T6571-2023半导体二极管反向特性试验方法
4.JESD22-A108F电子器件加速寿命测试标准
5.ISO16750-4:2023汽车电子部件环境试验要求
检测设备
1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持10kV/1μA级高精度测试
2.TektronixPA3000功率分析仪：宽范围电压/电流波形捕获
3.Chroma19032耐压测试系统：符合IEC61010-1安全标准
4.Keithley4200A-SCS参数分析仪：pA级微弱电流测量模块
5.ESPECT-242热冲击试验箱：快速温变率≥15℃/min
6.HiokiST5520表面电阻测试仪：四端子法接触阻抗消除
7.Fluke1587FC绝缘电阻测试仪：1000VDC耐压测试功能
8.Agilent4156C精密半导体分析仪：CV/IV综合特性分析
9.HIOKIPW3390功率分析仪：50ms高速采样模式
10.ThermoScientificCMD500电化学工作站：时域/频域联合分析