层错带检测

检测项目

1.层错密度测定：测量单位体积内层错面数量（cm⁻），精度0.510

2.层错能计算：通过临界分切应力法测定（单位：mJ/m），误差范围≤5%

3.晶格畸变量分析：测量面间距变化率（Δd/d₀），分辨率达0.001%

4.位错交互作用评估：统计位错-层错交互节点密度（个/μm）

5.热稳定性测试：记录300-1200℃温区内层错湮灭临界温度（5℃）

检测范围

1.金属合金：包括铝合金（AA2024/7075）、钛合金（Ti-6Al-4V）等变形金属体系

2.半导体材料：单晶硅（Si）、砷化镓（GaAs）等III-V族化合物晶体

3.陶瓷材料：氧化锆（ZrO₂）、碳化硅（SiC）等结构陶瓷

4.高分子复合材料：碳纤维增强环氧树脂基体界面区域

5.薄膜涂层材料：物理气相沉积（PVD）硬质涂层（TiN/TiAlN）

检测方法

ASTME112-13：晶粒度测定中间接评估层错密度方法

ISO24173:2009：电子背散射衍射（EBSD）分析层错取向差

GB/T13305-2008：金属材料X射线衍射线形分析法

ASTMF3258-19：半导体晶圆缺陷表征的TEM测试规程

GB/T39498-2020：高分辨透射电镜（HRTEM）面缺陷分析通则

检测设备

1.ThermoScientificApreo2SEM：配备TKD探测器实现50nm分辨率层错成像

2.JEOLJEM-ARM300FTEM：0.08nm点分辨率用于原子尺度层错观察

3.BrukerD8ADVANCEXRD：配置Hi-Star二维探测器进行全谱层错分析

4.OxfordInstrumentsSymmetryS2EBSD：实现0.1取向精度的层错表征

5.ZeissLSM900激光共聚焦显微镜：表面台阶高度测量精度1nm

6.ShimadzuHMV-G21显微硬度计：加载力0.98-9.8N测试层错影响区硬度

7.NetzschDIL402C膨胀仪：测定热膨胀系数变化反映层错湮灭过程

8.GatanOneViewCMOS相机：4k4k分辨率记录动态层错演变过程

9.BrukerQuantaxEDS：配合SEM实现成分-缺陷关联分析

10.FEIScios2DualBeamFIB：制备TEM样品时定位特定层错区域

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"层错带检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。