半导体开关组件检测

检测项目

1.静态参数测试：漏电流（nA级）、阈值电压（Vth）、导通电阻（RDS(on)）

2.动态参数测试：开关时间（ns级）、反向恢复时间（trr）、栅极电荷量（Qg）

3.热特性分析：结-壳热阻（RθJC）、最大结温（Tjmax）、热失效点（≥175℃）

4.可靠性验证：HTRB（高温反向偏压）、H3TRB（高温高湿反偏）、功率循环次数（＞10^6次）

5.封装完整性：气密性（氦泄漏率≤110^-8Pam/s）、剪切强度（≥50N/mm）

检测范围

1.MOSFET器件：平面型/沟槽型结构，电压范围30-1200V

2.IGBT模块：单管/复合封装形式，电流容量50-1200A

3.晶闸管组件：双向/逆导型结构，阻断电压600-8000V

4.快恢复二极管：反向恢复时间＜100ns的超快器件

5.GaN/SiC器件：宽禁带半导体开关组件

检测方法

1.静态特性：依据IEC60747-9:2019测量阈值电压及导通电阻

2.动态特性：采用ASTMF1241-2014进行开关损耗测试

3.热阻测试：执行JEDECJESD51-14瞬态双界面法测量

4.可靠性试验：参照AEC-Q101进行HTRB（150℃/80%额定电压）

5.封装测试：按GB/T4587-1994进行机械强度及气密性检测

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持3000V/1500A参数测试

2.ThermoScientificMAP2030热分析系统：实现μs级瞬态热阻测量

3.ESPECPL-3KPH气候箱：温度范围-70℃~+180℃，湿度控制2%RH

4.TektronixDPO7054C示波器：带宽5GHz，采样率40GS/s的动态波形采集

5.NordsonDAGE4000Plus推拉力计：最大载荷500kg的封装强度测试

6.Agilent4294A阻抗分析仪：10MHz-110MHz精密阻抗测量

7.HiokiST5520表面电阻仪：四端子法接触电阻测量精度0.5%

8.PfeifferASM340氦质谱检漏仪：最小可检漏率510^-12Pam/s

9.Chroma19032功率循环试验机：ΔTj=100℃循环寿命测试

10.OlympusMX63L金相显微镜：5000倍率下的芯片焊接层缺陷观测

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"半导体开关组件检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。