检测项目
1.几何尺寸精度：直径公差0.02mm，长度偏差≤0.1mm，锥度控制≤0.03
2.表面粗糙度：Ra值范围0.05-0.4μm（视应用场景分级），波纹度Wz≤0.15μm
3.平面度误差：局部平面度≤1μm/50mm，整体平面度≤3μm/200mm
4.平行度/垂直度：轴向平行度≤0.005mm/m，端面垂直度≤30"
5.材料硬度：洛氏硬度HRC45-60（碳化硅晶锭），维氏硬度HV1500-2200（蓝宝石晶锭）
检测范围
1.单晶硅锭：Φ200-450mm半导体级晶体（电阻率0.001-100Ωcm）
2.多晶硅铸锭：G6-G12光伏用准方锭（156156mm至210210mm）
3.砷化镓晶锭：2-6英寸III-V族化合物半导体材料
4.碳化硅单晶：4H/6H-SiC衬底（直径100-200mm）
5.蓝宝石晶锭：C向/A向生长晶体（Φ4"-8"光学级）
检测方法
ASTME112-13：晶粒尺寸测定与等轴晶率计算法
ISO12181-2:2011：圆度测量三点支承法（滤波截止波长UPR=50）
GB/T4340.1-2009：维氏硬度试验（试验力9.807N-980.7N）
SEMIMF1530-0709：硅片几何参数测试规范（接触式探针法）
JISB0659-2002：触针式表面粗糙度仪校准规程（标准样板比对法）
检测设备
MitutoyoCRYSTA-ApexS系列三坐标测量机：空间测量精度(1.9+L/250)μm
TaylorHobsonFormTalysurfi系列表面轮廓仪：纵向分辨率0.8nm，曲率半径测量范围80
KeyenceLJ-V7000激光平面度仪：非接触式测量（波长405nm），Z轴重复精度0.03μm
BrukerContourGT-X3白光干涉仪：垂直分辨率0.1nm，最大扫描面积1010mm
InstronWilsonTukon2500自动显微硬度计：载荷分辨率0.01gf，压痕自动识别精度0.3μm
ZeissAxioImager.M2m金相显微镜：5000:1动态对焦系统，EBSD分辨率≤50nm
Agilent5500原子力显微镜：扫描范围9090μm，Z轴噪声水平<0.05nmRMS
OlympusOmniscanMX2超声探伤仪：频率范围0.5-30MHz，缺陷检出率Φ0.1mm当量平底孔