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晶锭研磨检测

  • 原创官网
  • 2025-03-31 11:44:22
  • 关键字:晶锭研磨测试机构,晶锭研磨测试案例,晶锭研磨测试方法
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晶锭研磨检测概述:晶锭研磨检测是半导体及光伏材料质量控制的关键环节,重点评估几何精度、表面完整性及材料均质性。核心检测项目涵盖尺寸公差(±0.02mm)、平面度(≤2μm/100mm)、粗糙度(Ra0.05-0.4μm)等参数,需依据ASTME112、ISO12181及GB/T4340.1等标准执行。本文系统解析检测流程中的技术规范与设备选型方案。


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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。

☌ 询价

检测项目

1.几何尺寸精度:直径公差0.02mm,长度偏差≤0.1mm,锥度控制≤0.03

2.表面粗糙度:Ra值范围0.05-0.4μm(视应用场景分级),波纹度Wz≤0.15μm

3.平面度误差:局部平面度≤1μm/50mm,整体平面度≤3μm/200mm

4.平行度/垂直度:轴向平行度≤0.005mm/m,端面垂直度≤30"

5.材料硬度:洛氏硬度HRC45-60(碳化硅晶锭),维氏硬度HV1500-2200(蓝宝石晶锭)

检测范围

1.单晶硅锭:Φ200-450mm半导体级晶体(电阻率0.001-100Ωcm)

2.多晶硅铸锭:G6-G12光伏用准方锭(156156mm至210210mm)

3.砷化镓晶锭:2-6英寸III-V族化合物半导体材料

4.碳化硅单晶:4H/6H-SiC衬底(直径100-200mm)

5.蓝宝石晶锭:C向/A向生长晶体(Φ4"-8"光学级)

检测方法

ASTME112-13:晶粒尺寸测定与等轴晶率计算法

ISO12181-2:2011:圆度测量三点支承法(滤波截止波长UPR=50)

GB/T4340.1-2009:维氏硬度试验(试验力9.807N-980.7N)

SEMIMF1530-0709:硅片几何参数测试规范(接触式探针法)

JISB0659-2002:触针式表面粗糙度仪校准规程(标准样板比对法)

检测设备

MitutoyoCRYSTA-ApexS系列三坐标测量机:空间测量精度(1.9+L/250)μm

TaylorHobsonFormTalysurfi系列表面轮廓仪:纵向分辨率0.8nm,曲率半径测量范围80

KeyenceLJ-V7000激光平面度仪:非接触式测量(波长405nm),Z轴重复精度0.03μm

BrukerContourGT-X3白光干涉仪:垂直分辨率0.1nm,最大扫描面积1010mm

InstronWilsonTukon2500自动显微硬度计:载荷分辨率0.01gf,压痕自动识别精度0.3μm

ZeissAxioImager.M2m金相显微镜:5000:1动态对焦系统,EBSD分辨率≤50nm

Agilent5500原子力显微镜:扫描范围9090μm,Z轴噪声水平<0.05nmRMS

OlympusOmniscanMX2超声探伤仪:频率范围0.5-30MHz,缺陷检出率Φ0.1mm当量平底孔

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

  以上是与晶锭研磨检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。

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