1.几何尺寸精度:直径公差0.02mm,长度偏差≤0.1mm,锥度控制≤0.03
2.表面粗糙度:Ra值范围0.05-0.4μm(视应用场景分级),波纹度Wz≤0.15μm
3.平面度误差:局部平面度≤1μm/50mm,整体平面度≤3μm/200mm
4.平行度/垂直度:轴向平行度≤0.005mm/m,端面垂直度≤30"
5.材料硬度:洛氏硬度HRC45-60(碳化硅晶锭),维氏硬度HV1500-2200(蓝宝石晶锭)
1.单晶硅锭:Φ200-450mm半导体级晶体(电阻率0.001-100Ωcm)
2.多晶硅铸锭:G6-G12光伏用准方锭(156156mm至210210mm)
3.砷化镓晶锭:2-6英寸III-V族化合物半导体材料
4.碳化硅单晶:4H/6H-SiC衬底(直径100-200mm)
5.蓝宝石晶锭:C向/A向生长晶体(Φ4"-8"光学级)
ASTME112-13:晶粒尺寸测定与等轴晶率计算法
ISO12181-2:2011:圆度测量三点支承法(滤波截止波长UPR=50)
GB/T4340.1-2009:维氏硬度试验(试验力9.807N-980.7N)
SEMIMF1530-0709:硅片几何参数测试规范(接触式探针法)
JISB0659-2002:触针式表面粗糙度仪校准规程(标准样板比对法)
MitutoyoCRYSTA-ApexS系列三坐标测量机:空间测量精度(1.9+L/250)μm
TaylorHobsonFormTalysurfi系列表面轮廓仪:纵向分辨率0.8nm,曲率半径测量范围80
KeyenceLJ-V7000激光平面度仪:非接触式测量(波长405nm),Z轴重复精度0.03μm
BrukerContourGT-X3白光干涉仪:垂直分辨率0.1nm,最大扫描面积1010mm
InstronWilsonTukon2500自动显微硬度计:载荷分辨率0.01gf,压痕自动识别精度0.3μm
ZeissAxioImager.M2m金相显微镜:5000:1动态对焦系统,EBSD分辨率≤50nm
Agilent5500原子力显微镜:扫描范围9090μm,Z轴噪声水平<0.05nmRMS
OlympusOmniscanMX2超声探伤仪:频率范围0.5-30MHz,缺陷检出率Φ0.1mm当量平底孔
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与晶锭研磨检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。