晶锭研磨检测

检测项目

1.几何尺寸精度：直径公差0.02mm，长度偏差≤0.1mm，锥度控制≤0.03

2.表面粗糙度：Ra值范围0.05-0.4μm（视应用场景分级），波纹度Wz≤0.15μm

3.平面度误差：局部平面度≤1μm/50mm，整体平面度≤3μm/200mm

4.平行度/垂直度：轴向平行度≤0.005mm/m，端面垂直度≤30"

5.材料硬度：洛氏硬度HRC45-60（碳化硅晶锭），维氏硬度HV1500-2200（蓝宝石晶锭）

检测范围

1.单晶硅锭：Φ200-450mm半导体级晶体（电阻率0.001-100Ωcm）

2.多晶硅铸锭：G6-G12光伏用准方锭（156156mm至210210mm）

3.砷化镓晶锭：2-6英寸III-V族化合物半导体材料

4.碳化硅单晶：4H/6H-SiC衬底（直径100-200mm）

5.蓝宝石晶锭：C向/A向生长晶体（Φ4"-8"光学级）

检测方法

ASTME112-13：晶粒尺寸测定与等轴晶率计算法

ISO12181-2:2011：圆度测量三点支承法（滤波截止波长UPR=50）

GB/T4340.1-2009：维氏硬度试验（试验力9.807N-980.7N）

SEMIMF1530-0709：硅片几何参数测试规范（接触式探针法）

JISB0659-2002：触针式表面粗糙度仪校准规程（标准样板比对法）

检测设备

MitutoyoCRYSTA-ApexS系列三坐标测量机：空间测量精度(1.9+L/250)μm

TaylorHobsonFormTalysurfi系列表面轮廓仪：纵向分辨率0.8nm，曲率半径测量范围80

KeyenceLJ-V7000激光平面度仪：非接触式测量（波长405nm），Z轴重复精度0.03μm

BrukerContourGT-X3白光干涉仪：垂直分辨率0.1nm，最大扫描面积1010mm

InstronWilsonTukon2500自动显微硬度计：载荷分辨率0.01gf，压痕自动识别精度0.3μm

ZeissAxioImager.M2m金相显微镜：5000:1动态对焦系统，EBSD分辨率≤50nm

Agilent5500原子力显微镜：扫描范围9090μm，Z轴噪声水平<0.05nmRMS

OlympusOmniscanMX2超声探伤仪：频率范围0.5-30MHz，缺陷检出率Φ0.1mm当量平底孔

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"晶锭研磨检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。