


1.位错密度测定:测量范围10-10cm⁻,误差≤5%
2.位错分布形态分析:包含直线型/网状/胞状结构分类及占比统计
3.Burgers矢量测定:采用gb=0判据法,精度达0.01nm
4.位错运动轨迹追踪:时间分辨率1μs-100s可调
5.层错能计算:通过节点法测量,温度范围-196℃-1200℃
1.金属材料:铝合金(AA6061-T6)、钛合金(Ti-6Al-4V)、高温合金(Inconel718)
2.半导体材料:单晶硅(<100>/<111>晶向)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(4H-SiC)
3.陶瓷材料:氧化铝(Al₂O₃)、氮化硅(Si₃N₄)、氧化锆(3Y-TZP)
4.复合材料:碳纤维/环氧树脂层压板、金属基复合材料(SiC/Al)
5.高分子材料:超高分子量聚乙烯(UHMWPE)、聚酰亚胺薄膜
1.ASTME112-13:晶粒度测定中的位错密度关联分析法
2.ISO24173:2009:透射电镜电子衍射法定量表征位错
3.GB/T13298-2015:金属显微组织检验通则
4.ASTME3-11:金相试样制备标准指南
5.GB/T20307-2006:纳米级长度的扫描电镜测量方法
1.FEITecnaiG2F30TEM:300kV场发射电镜,配备GatanOriusSC200D相机
2.ZeissSigma500SEM:分辨率0.8nm@15kV,配备EBSD探测器
3.BrukerD8ADVANCEXRD:Cu靶Kα辐射(λ=0.15406nm),测角仪精度0.0001
4.HysitronTIPremier纳米压痕仪:载荷分辨率1nN,位移分辨率0.02nm
5.GatanModel656双喷电解减薄仪:适用于金属/陶瓷样品制备
6.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系统:空间分辨率10nm@20kV
7.JEOLJEM-ARM300F原子分辨率电镜:球差校正器C₃=1mm,C₅=5mm
8.BrukerDimensionIconAFM:峰值力轻敲模式,Z轴噪声<0.05nm
9.ShimadzuHMV-G21显微硬度计:载荷范围10gf-2kgf,ISO6507标准
10.LeicaEMTXP精密切片机:切割厚度10nm-100μm可调
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与"扩展位错检测"相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。
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