检测项目

1.成分分析：TiSi2相含量≥99.5%，游离硅含量≤0.3%，氧含量≤500ppm

2.晶体结构表征：晶格常数a=3.620.02，c=13.650.05

3.表面形貌：平均晶粒尺寸0.5-2μm，孔隙率≤1%

4.热学性能：热膨胀系数7.210⁻⁶/K（25-800℃），熔点14805℃

5.电学特性：方块电阻1-5Ω/□（膜厚100nm），载流子浓度≥110⁰cm⁻

6.力学性能：显微硬度12-15GPa（纳米压痕法），杨氏模量22010GPa

检测范围

1.半导体器件用TiSi2薄膜（厚度50-500nm）

2.高温防护涂层（工作温度≤1350℃）

3.金属基复合材料增强相（粒径分布D50=1-5μm）

4.溅射靶材（纯度≥99.95%）

5.锂离子电池负极材料（比表面积≤5m/g）

6.光伏导电浆料（固含量70-80%）

检测方法

1.ASTME2142-2023《X射线荧光光谱法测定金属硅化物成分》

2.ISO14705:2016《精细陶瓷高温热膨胀系数测试》

3.GB/T13301-2020《金属材料显微组织定量分析方法》

4.ASTMF1529-21《四探针法测量半导体薄膜电阻率》

5.ISO14577-1:2015《仪器化纳米压痕硬度测试》

6.GB/T4339-2020《金属材料热膨胀特性测定方法》

检测设备

1.RigakuSmartLabX射线衍射仪：CBO光学系统，θ/θ测角仪精度0.0001

2.JEOLJSM-7900F场发射扫描电镜：分辨率0.8nm@15kV，EDS能谱仪

3.NetzschDIL402C热膨胀仪：温度范围-160℃至1600℃，膨胀分辨率0.125nm

4.KeysightB1500A半导体参数分析仪：10fA-1A电流测量精度0.5%

5.AntonPaarNHT纳米压痕仪：最大载荷500mN，位移分辨率0.01nm

6.BrukerS8TIGER波长色散X荧光光谱仪：4kW铑靶X光管，检出限1ppm

7.Agilent4294A阻抗分析仪：频率范围40Hz至110MHz，基本精度0.08%

8.MalvernMastersizer3000激光粒度仪：测量范围0.01-3500μm，重复性误差＜1%

9.PerkinElmerSTA8000同步热分析仪：TG/DSC同步测量精度0.1μg

10.HoribaLabRAMHREvolution拉曼光谱仪：532nm激光器，空间分辨率＜1μm