检测项目

1.正向饱和压降（V_F）：测量电流范围0.1A-100A条件下的导通压降值（典型值0.3V-3V）

2.反向击穿电压（V_BR）：测试反向漏电流达到1mA时的临界电压（范围50V-3000V）

3.动态电阻（R_DS(on)）：在25℃/125℃下测量导通电阻值（精度0.5mΩ）

4.热阻系数（R_θJC）：结壳热阻测试（分辨率0.01℃/W）

5.反向恢复时间（t_rr）：测量反向电流从峰值衰减至10%的时间（量程10ns-10μs）

检测范围

1.硅基功率二极管：包括快恢复二极管（FRD）、肖特基二极管（SBD）等

2.IGBT模块：额定电压600V-6500V的绝缘栅双极型晶体管

3.MOSFET器件：平面型/沟槽型场效应管（V_DSS20V-1000V）

4.LED芯片：大功率照明器件（测试电流350mA-3A）

5.整流桥堆：三相/单相桥式整流组件（输出电流10A-500A）

检测方法

ASTMF42-20《半导体材料特性测试标准》第7章动态参数测试法

IEC60747-9:2019《分立半导体器件-第9部分：绝缘栅双极晶体管》

GB/T4023-2015《半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管》

JEDECJESD24-12《功率半导体器件电气特性测量指南》

GB/T15291-2013《半导体器件分立器件第6部分：晶闸管》第4.2节静态特性测试

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持1700V/1500A脉冲测试，最小脉宽1μs

2.TektronixPA3000功率分析仪：带宽5MHz，基本精度0.04%

3.Chroma19032功率器件测试系统：最大输出3000V/1000A，集成热阻测试模块

4.HiokiPW3390高精度功率计：采样率2MS/s，支持谐波分析至500次

5.FlukeTi401PRO热像仪：红外分辨率320240，热灵敏度≤0.03℃

6.AgilentN6705B直流电源分析仪：四通道输出，最大功率300W/通道

7.ESPECPL-3KFP温控箱：温度范围-70℃~+180℃，变温速率15℃/min

8.GWInstekLCR-8105G高频LCR表：测试频率20Hz-5MHz，基本精度0.05%

9.NIPXIe-4143源测量单元：18位分辨率，采样率1MS/s

10.HUBER+SUHNERSucoflex404同轴电缆：频率范围DC-40GHz，驻波比≤1.3

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与饱和压降检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。