检测项目

1.线宽精度：测量特征尺寸偏差（CD），控制范围0.1μm~0.5μm

2.套刻对准精度：XY方向偏移量≤30nm（3σ）

3.曝光均匀性：全视场照度差异≤2%

4.焦深特性：有效聚焦范围≥1.5μm@NA0.6

5.畸变误差：最大图像形变≤0.05%FOV

6.缺陷密度：可检缺陷尺寸≥0.15μm

检测范围

1.半导体晶圆：硅基/化合物半导体基片（Φ200mm/Φ300mm）

2.光刻胶涂层：正胶/负胶（厚度0.5-10μm）

3.微电子元件：CMOS器件/存储单元阵列（节点28nm-7nm）

4.光学薄膜：抗反射膜/相位掩模（膜厚公差3nm）

5.MEMS器件：微机械结构/微流道（深宽比10:1~50:1）

检测方法

ASTMF1811-18：光刻胶显影后关键尺寸测量规程

ISO14606:2018：半导体制造用投影曝光系统性能评价

GB/T30270-2013：微电子技术用投影光刻机通用规范

SEMIP35-1108：光刻系统套刻精度测试方法

GB/T39143-2020：集成电路制造用光掩模缺陷检验方法

检测设备

NikonNSR-2205i14E：配备i-line光源（365nm），支持150mm晶圆曝光

ASMLYieldStar1385D：基于散射测量技术的在线量测系统

KLA-TencorArcher500LCM：套刻误差测量精度0.15nm

HitachiCG4100：CD-SEM分辨率0.8nm@15kV

BrukerContourElite：白光干涉三维形貌仪垂直分辨率0.1nm

ZeissLSM980：共聚焦显微镜支持365nm-1700nm多波段检测

OntoInnovationNuance9000：全自动缺陷复查分类系统

LeicaDCM8：3D表面轮廓仪支持12mm12mm视场测量

ParkSystemsNX-Hivac：原子力显微镜Z轴分辨率0.05nm

AppliedMaterialsVeritySEM4i：电子束缺陷检测吞吐量25wph@1nm灵敏度