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晶体长大检测

  • 原创官网
  • 2025-04-02 09:44:55
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晶体长大检测概述:晶体长大检测是材料科学领域的关键分析技术,主要针对晶粒尺寸、取向分布及缺陷演变进行定量表征。检测要点包括晶界迁移速率测定、位错密度分析、相变温度监控等核心参数,涉及X射线衍射(XRD)、电子背散射衍射(EBSD)等先进手段,为半导体、金属合金及功能陶瓷的工艺优化提供数据支撑。


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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。

☌ 询价

检测项目

1. 晶粒尺寸分布:测量范围0.1-500μm,精度±2%

2. 取向差角分析:角度分辨率0.1°,EBSD扫描步长0.05-5μm

3. 位错密度测定:TEM观测精度10^6-10^12 cm^-2

4. 晶界迁移速率:高温原位观测温度范围20-1600℃

5. 二次再结晶率:XRD半高宽测量误差≤0.01°

检测范围

1. 半导体单晶材料:硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)

2. 金属合金体系:钛合金(Ti-6Al-4V)、镍基高温合金(Inconel 718)

3. 功能陶瓷材料:氧化铝(Al₂O₃)、氮化硅(Si₃N₄)、压电陶瓷(PZT)

4. 高分子结晶材料:聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)球晶结构

5. 光学晶体材料:氟化钙(CaF₂)、钇铝石榴石(YAG)

检测方法

1. ASTM E112-13:晶粒度测定标准图谱法

2. ISO 17721-1:2021:电子背散射衍射定量分析通则

3. GB/T 13298-2015:金属显微组织检验方法

4. ISO 24173:2022:透射电镜菊池线取向分析规程

5. GB/T 4335-2013:钢中奥氏体晶粒度测定法

检测设备

1. ZEISS Sigma 500场发射扫描电镜:配备Oxford Symmetry EBSD系统

2. Bruker D8 ADVANCE X射线衍射仪:配置高温附件(1600℃)

3. JEOL JEM-2100F透射电子显微镜:STEM分辨率0.19nm

4. Netzsch DIL 402 C热膨胀仪:温度精度±0.1℃

5. Leica DM2700M金相显微镜:配备LAS图像分析模块

6. Shimadzu HMV-G21显微硬度计:载荷范围10gf-2kgf

7. Oxford Instruments AztecEnergy EDS系统:元素分析精度0.1wt%

8. Linseis L78/RITA激光闪射仪:导热系数测量范围0.1-2000 W/mK

9. Anton Paar XRDynamic 500高温反应室:压力范围10^-3-100 bar

10. Keysight 5500原子力显微镜:Z轴分辨率0.01nm

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

  以上是与晶体长大检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。

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