1. 表面元素定性分析:能量范围0-2000 eV,束流3-10 nA,检出限0.1-1 at.%
2. 深度剖析:溅射速率0.1-50 nm/min(Ar+离子枪),深度分辨率≤5 nm
3. 元素面分布成像:空间分辨率≤10 nm(场发射电子枪),扫描步长0.1-100 μm
4. 化学态分析:能量分辨率≤0.5 eV(半球分析器),步长0.1 eV
5. 界面污染检测:检出限≤1×10¹² atoms/cm²(低能电子衍射模式)
1. 半导体材料:硅基芯片、GaAs器件、ITO导电膜
2. 金属及合金:不锈钢钝化层、铝合金氧化膜、钛合金表面改性层
3. 薄膜涂层:PVD/CVD硬质涂层、光伏薄膜、防腐蚀镀层
4. 纳米材料:量子点表面修饰层、纳米颗粒团聚界面
5. 高分子材料:聚合物表面接枝改性层、生物医用涂层
ASTM E827-20《俄歇电子能谱定性分析标准规程》
ISO 18118:2015《表面化学分析-俄歇电子能谱定量分析》
GB/T 26533-2011《俄歇电子能谱分析方法通则》
ISO 20903:2019《表面化学分析-俄歇电子能谱深度剖析》
GB/T 35099-2018《微束分析-俄歇电子能谱元素面分布分析方法》
1. Thermo Fisher PHI 700Xi:配备同轴电子枪(空间分辨率6 nm)和16通道探测器
2. ULVAC-PHI SAM-670:集成FIB-SEM-AES联用系统(深度剖析精度±0.3 nm)
3. SPECS FlexAES:多模式分析系统(含角分辨AES功能)
4. JEOL JAMP-9500F:场发射型AES(束斑直径<5 nm@10 kV)
5. Omicron NanoSAM:超高真空系统(基础真空≤5×10⁻¹⁰ mbar)
6. Kratos AXIS Supra+:同步辐射兼容型AES(能量分辨率0.25 eV)
7. Scienta Omicron DA30-L:双束溅射系统(Ar+/C60+复合离子源)
8. RBD Instruments 9100A:快速成像AES(每秒采集>1000个谱点)
9. STAIB Instruments DESA100:差分抽气系统(支持大气压样品转移)
10. HORIBA AES-7000:全自动多样品台(最大承载12个样品)
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与俄歇电子能谱仪检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。