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俄歇电子能谱仪检测

  • 原创官网
  • 2025-04-02 10:03:40
  • 关键字:俄歇电子能谱仪测试机构,俄歇电子能谱仪测试周期,俄歇电子能谱仪测试范围
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俄歇电子能谱仪检测概述:俄歇电子能谱仪(AES)是一种高灵敏度的表面分析技术,主要用于材料表层(1-10nm)元素成分及化学态表征。其核心检测要点包括元素定性/定量分析、深度剖析、元素分布成像及化学态识别,适用于半导体、金属、薄膜等材料的失效分析与质量控制。检测需严格控制束流能量、真空度及样品处理条件以确保数据准确性。


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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。

☌ 询价

检测项目

1. 表面元素定性分析:能量范围0-2000 eV,束流3-10 nA,检出限0.1-1 at.%

2. 深度剖析:溅射速率0.1-50 nm/min(Ar+离子枪),深度分辨率≤5 nm

3. 元素面分布成像:空间分辨率≤10 nm(场发射电子枪),扫描步长0.1-100 μm

4. 化学态分析:能量分辨率≤0.5 eV(半球分析器),步长0.1 eV

5. 界面污染检测:检出限≤1×10¹² atoms/cm²(低能电子衍射模式)

检测范围

1. 半导体材料:硅基芯片、GaAs器件、ITO导电膜

2. 金属及合金:不锈钢钝化层、铝合金氧化膜、钛合金表面改性层

3. 薄膜涂层:PVD/CVD硬质涂层、光伏薄膜、防腐蚀镀层

4. 纳米材料:量子点表面修饰层、纳米颗粒团聚界面

5. 高分子材料:聚合物表面接枝改性层、生物医用涂层

检测方法

ASTM E827-20《俄歇电子能谱定性分析标准规程》

ISO 18118:2015《表面化学分析-俄歇电子能谱定量分析》

GB/T 26533-2011《俄歇电子能谱分析方法通则》

ISO 20903:2019《表面化学分析-俄歇电子能谱深度剖析》

GB/T 35099-2018《微束分析-俄歇电子能谱元素面分布分析方法》

检测设备

1. Thermo Fisher PHI 700Xi:配备同轴电子枪(空间分辨率6 nm)和16通道探测器

2. ULVAC-PHI SAM-670:集成FIB-SEM-AES联用系统(深度剖析精度±0.3 nm)

3. SPECS FlexAES:多模式分析系统(含角分辨AES功能)

4. JEOL JAMP-9500F:场发射型AES(束斑直径<5 nm@10 kV)

5. Omicron NanoSAM:超高真空系统(基础真空≤5×10⁻¹⁰ mbar)

6. Kratos AXIS Supra+:同步辐射兼容型AES(能量分辨率0.25 eV)

7. Scienta Omicron DA30-L:双束溅射系统(Ar+/C60+复合离子源)

8. RBD Instruments 9100A:快速成像AES(每秒采集>1000个谱点)

9. STAIB Instruments DESA100:差分抽气系统(支持大气压样品转移)

10. HORIBA AES-7000:全自动多样品台(最大承载12个样品)

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

  以上是与俄歇电子能谱仪检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。

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