二次离子谱法检测
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2025-04-02 10:35:10
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二次离子谱法检测概述：二次离子谱法（SIMS）是一种高灵敏度的表面分析技术，通过聚焦离子束轰击样品表面并收集溅射出的二次离子进行质谱分析。该方法适用于元素分布、痕量杂质及同位素比值的精确测定，广泛应用于半导体、材料科学和地质研究等领域。核心检测要点包括深度分辨率（1-10nm）、检出限（ppm-ppb级）及成像精度（亚微米级）。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。
☌ 询价
检测项目
1. 表面元素分析：检测元素种类及相对丰度，检出限≤1 ppm；
2. 深度剖析：纵向分辨率≤5 nm，最大分析深度10 μm；
3. 同位素比值测定：精度±0.1%（如18O/16O）；
4. 有机分子成像：空间分辨率≤200 nm（TOF-SIMS模式）；
5. 界面缺陷表征：掺杂浓度误差≤3%（如Si/SiO2界面）。
检测范围
1. 半导体材料：硅基芯片、GaN外延层、III-V族化合物；
2. 金属合金：高温合金涂层、钛基生物植入物；
3. 生物样品：骨组织钙磷分布、药物缓释微粒；
4. 地质样品：锆石U-Pb定年、陨石同位素异常；
5. 聚合物材料：共混物界面扩散、光刻胶残留分析。
检测方法
1. ASTM E1504-11：静态SIMS表面污染物定量规程；
2. ISO 18118:2015：溅射产额校正与基体效应修正；
3. GB/T 17359-2012：微束分析能谱/质谱通则；
4. ASTM E1078-14：深度剖析数据标准化流程；
5. GB/T 29731-2013：半导体材料表面杂质SIMS测试方法。
检测设备
1. CAMECA IMS 7f：磁扇区质谱仪，配备Cs+/O-双源，实现0.5 μm成像分辨率；
2. TOF.SIMS 5（ION-TOF GmbH）：飞行时间质谱仪，质量分辨率＞20,000（m/Δm）；
3. NanoSIMS 50L（CAMECA）：多接收器系统，支持7个离子同步检测；
4. PHI nanoTOF II（ULVAC-PHI）：脉冲团簇离子源（Ar2500+），降低有机样品损伤；
5. SIMS Workstation（Hiden Analytical）：配备HPR60探针，气体解吸率＜1×10-9 mbar·L/s；
6. ATOMIKA 4500：双束聚焦系统（Ga+/O2+），深度剖析速率＞1 μm/min；
7. TRIFT III（Physical Electronics）：三重聚焦飞行时间设计，质量精度±0.002 Da；
8. J105 SIMS Scalar（Ionoptika）：高通量束流系统（1 pA-100 nA），适用大面积扫描。
北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
以上是与二次离子谱法检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。