检测项目
1. 表面元素分析：检测元素种类及相对丰度，检出限≤1 ppm；
2. 深度剖析：纵向分辨率≤5 nm，最大分析深度10 μm；
3. 同位素比值测定：精度±0.1%（如18O/16O）；
4. 有机分子成像：空间分辨率≤200 nm（TOF-SIMS模式）；
5. 界面缺陷表征：掺杂浓度误差≤3%（如Si/SiO2界面）。
检测范围
1. 半导体材料：硅基芯片、GaN外延层、III-V族化合物；
2. 金属合金：高温合金涂层、钛基生物植入物；
3. 生物样品：骨组织钙磷分布、药物缓释微粒；
4. 地质样品：锆石U-Pb定年、陨石同位素异常；
5. 聚合物材料：共混物界面扩散、光刻胶残留分析。
检测方法
1. ASTM E1504-11：静态SIMS表面污染物定量规程；
2. ISO 18118:2015：溅射产额校正与基体效应修正；
3. GB/T 17359-2012：微束分析能谱/质谱通则；
4. ASTM E1078-14：深度剖析数据标准化流程；
5. GB/T 29731-2013：半导体材料表面杂质SIMS测试方法。
检测设备
1. CAMECA IMS 7f：磁扇区质谱仪，配备Cs+/O-双源，实现0.5 μm成像分辨率；
2. TOF.SIMS 5（ION-TOF GmbH）：飞行时间质谱仪，质量分辨率＞20,000（m/Δm）；
3. NanoSIMS 50L（CAMECA）：多接收器系统，支持7个离子同步检测；
4. PHI nanoTOF II（ULVAC-PHI）：脉冲团簇离子源（Ar2500+），降低有机样品损伤；
5. SIMS Workstation（Hiden Analytical）：配备HPR60探针，气体解吸率＜1×10-9 mbar·L/s；
6. ATOMIKA 4500：双束聚焦系统（Ga+/O2+），深度剖析速率＞1 μm/min；
7. TRIFT III（Physical Electronics）：三重聚焦飞行时间设计，质量精度±0.002 Da；
8. J105 SIMS Scalar（Ionoptika）：高通量束流系统（1 pA-100 nA），适用大面积扫描。