晶面中心检测

检测项目

1. 晶面间距测量：精度±0.001Å，测量范围0.1-10nm（基于XRD图谱分析）

2. 晶面取向偏差分析：角度分辨率≤0.05°，适用取向差0.1°-15°

3. 表面粗糙度评估：Ra值检测范围0.1nm-10μm（白光干涉仪）

4. 晶格畸变量化：应变灵敏度1×10⁻⁴（高分辨TEM）

5. 缺陷密度统计：电子通道衬度成像（ECCI）检出限10³/cm²

检测范围

1. 半导体材料：硅(111)/(100)晶圆、GaN外延层

2. 金属单晶：镍基高温合金涡轮叶片、钛合金医用植入体

3. 光学晶体：LiNbO₃调制器件、CaF₂紫外透镜

4. 陶瓷材料：Al₂O₃基板、ZrO₂燃料电池隔膜

5. 纳米粉末：TiO₂光催化剂、量子点CdSe/ZnS核壳结构

检测方法

1. X射线衍射法：ASTM E915-20残余应力测定、GB/T 23413-2009纳米材料晶格参数测试

2. 电子背散射衍射：ISO 24173:2017微区取向分析标准

3. 原子力显微镜：GB/T 31227-2014表面形貌三维表征

4. 透射电子显微镜：ISO 21363:2020纳米颗粒晶体学分析

5. 激光共聚焦显微镜：GB/T 3505-2020表面粗糙度测量规范

检测设备

1. Bruker D8 Discover XRD：配备VANTEC-500探测器，支持θ/θ联动扫描

2. Oxford Instruments Symmetry EBSD：空间分辨率10nm，最大采集速率4000点/秒

3. Zeiss Sigma 500 SEM：搭配Gemini II镜筒，二次电子分辨率0.8nm@15kV

4. Park Systems NX20 AFM：非接触模式Z轴分辨率0.02nm

5. Thermo Fisher Talos F200X TEM：点分辨率0.12nm，STEM HAADF探测器

6. Keyence VK-X3000激光显微镜：1200万像素CMOS，Z轴重复性1nm

7. Malvern Panalytical Empyrean XRD：具备PIXcel3D探测器，支持薄膜GIAB测量

8. Hitachi Regulus 8230冷场SEM：低电压分辨率1.4nm@1kV

9. JEOL JEM-ARM300F原子分辨率TEM：信息极限0.08nm

10. Bruker ContourGT-K光学轮廓仪：垂直扫描范围10mm，横向分辨率0.3μm

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"晶面中心检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。