检测项目

1. 平均晶粒尺寸：采用截距法测量（范围0.1-2000μm），符合ASTM E112标准

2. 晶界角度分布：统计2°-62°取向差角占比（精度±0.5°）

3. 异常晶粒比例：识别超过平均尺寸3倍的异常晶粒（检出限≤0.1%）

4. 晶粒形状系数：计算长宽比（1:1至10:1）及圆度参数（0.6-1.0）

5. 晶界析出相分析：EDS能谱成分测定（元素范围B-U，精度±0.1wt%）

检测范围

1. 金属材料：铝合金（AA6061/7075）、钛合金（Ti-6Al-4V）、高温合金（Inconel 718）

2. 陶瓷材料：氧化铝（Al₂O₃）、氮化硅（Si₃N₄）、压电陶瓷（PZT-5H）

3. 半导体材料：单晶硅（<100>/<111>取向）、砷化镓（GaAs）、碳化硅（4H-SiC）

4. 合金材料：镁合金（AZ31B）、铜合金（C11000/C17200）、形状记忆合金（Ni-Ti）

5. 高分子材料：聚丙烯球晶（等规度≥95%）、聚乙烯单晶薄膜（厚度50-200nm）

检测方法

1. ASTM E112：金属平均晶粒度测定标准

2. ISO 643：钢的奥氏体晶粒度测定法

3. GB/T 6394-2017：金属平均晶粒度测定方法

4. ASTM E2627：电子背散射衍射（EBSD）取向分析标准

5. GB/T 4296-2020：锗单晶晶向X射线衍射测定法

6. ISO 24173：微束分析电子背散射衍射取向测量指南

7. ASTM F1811：半导体单晶晶向XRD测试规程

检测设备

1. 蔡司Sigma 500场发射扫描电镜：分辨率0.8nm@15kV，配备牛津X-MaxN 80 EDS

2. 牛津NordlysMax3电子背散射衍射仪：角分辨率0.1°，采集速度>3000点/秒

3. 布鲁克D8 ADVANCE X射线衍射仪：Cu靶Kα辐射（λ=1.5406Å），测角仪精度±0.0001°

4. 岛津EPMA-8050G电子探针：波长分辨率5eV，元素分析范围B-U

5. 莱卡DM2700M正置金相显微镜：最大放大倍数1000×，配备Clemex图像分析系统

6. FEI Helios G4 UX聚焦离子束系统：束流范围1pA-65nA，定位精度±1nm

7. 日立HT7800透射电镜：点分辨率0.24nm，配备双倾样品台

8. Keyence VHX-7000数字显微镜：景深合成功能支持三维形貌重建

9. Malvern Mastersizer 3000激光粒度仪：测量范围0.01-3500μm

10. Agilent 5500原子力显微镜：扫描范围90μm×90μm，Z轴分辨率0.1nm

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与单体晶粒检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。