结型二极管检测

检测项目

1. 正向压降（VF）：测试电流1mA至10A范围内导通电压值，典型范围0.3V-1.5V

2. 反向击穿电压（VBR）：施加反向电压至漏电流达1mA时的临界值，范围50V-2000V

3. 反向漏电流（IR）：额定反向电压下测量漏电流值，精度需达1nA级

4. 结电容（Cj）：在零偏压及反偏条件下测试电容值，频率范围1MHz-100MHz

5. 热阻（Rθj-a）：通过功率循环法测量结温与环境温差比，精度±0.5℃/W

检测范围

1. 硅结型二极管：包括普通整流二极管与开关二极管

2. 锗结型二极管：适用于低频检波电路的特殊材料器件

3. 肖特基二极管：金属-半导体结结构的高频器件

4. 快恢复二极管：反向恢复时间≤50ns的高速开关器件

5. 高压二极管：耐压等级≥1000V的功率器件

检测方法

1. IEC 60747-1:半导体器件通用测试规范

2. GB/T 6571-2016：半导体器件机械和气候试验方法

3. JESD22-A108E：温度循环可靠性测试标准

4. ASTM F1249：半导体热特性测试标准

5. ISO 16750-4：汽车电子环境适应性测试标准

检测设备

1. Keysight B1505A功率器件分析仪：支持200A/3kV高压大电流测试

2. Tektronix DMM4040六位半万用表：基本电参数精密测量

3. Agilent 4294A阻抗分析仪：结电容与阻抗特性测试

4. Thermo Scientific T3Ster瞬态热阻测试系统：热特性动态分析

5. ESPEC SH-642环境试验箱：温度循环(-65℃~+150℃)测试

6. Hioki IM3590化学阻抗仪：材料界面特性分析

7. Fluke Ti450红外热像仪：工作状态温度场分布监测

8. Chroma 19032耐压测试仪：AC/DC击穿电压测试

9. Keithley 2636B源表：纳安级漏电流精确测量

10. Olympus MX63金相显微镜：芯片结构缺陷观测(5000X)

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"结型二极管检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。