1. 表面粗糙度(Ra):测量范围0.1nm-10μm,分辨率0.05nm
2. 晶面角度偏差:精度±0.01°,测量范围0°-180°
3. 晶面曲率半径:检测范围1mm-1000mm,误差±0.5%
4. 微裂纹深度:分辨率0.1μm,最大探测深度200μm
5. 晶格畸变率:基于XRD分析,灵敏度≤0.0001Δd/d
1. 半导体材料:硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)单晶片
2. 光学晶体元件:氟化钙(CaF₂)、蓝宝石(Al₂O₃)棱镜与窗口片
3. 珠宝玉石:钻石刻面、刚玉类宝石定向切割面
4. 压电晶体:石英晶体谐振器、铌酸锂(LiNbO₃)基片
5. 金属单晶材料:镍基高温合金涡轮叶片定向凝固晶面
ASTM F534-08:硅片结晶学定向X射线衍射法
ISO 25178-6:2010:非接触式光学轮廓仪表面形貌测量
GB/T 34879-2017:激光共聚焦显微镜微区三维形貌测试
ISO 14707:2015:辉光放电光谱法表面成分分析
GB/T 32281-2015:半导体晶片纳米压痕硬度测试规范
1. Bruker D8 ADVANCE X射线衍射仪:配备Eulerian cradle测角仪,实现±0.001°角度分辨率
2. Zygo NewView 9000白光干涉仪:垂直分辨率0.1nm,最大扫描面积100mm×100mm
3. Hitachi SU5000场发射扫描电镜:配备EBSD系统,空间分辨率1.5nm@15kV
4. Olympus LEXT OLS5000激光共聚焦显微镜:405nm激光光源,Z轴重复性±1nm
5. Taylor Hobson PGI1240轮廓仪:触针半径2μm,最大量程12mm
6. Keysight Nano Indenter G200:载荷分辨率50nN,位移分辨率0.01nm
7. Malvern Panalytical Empyrean XRD平台:配置高分辨Pixel探测器,角度重现性±0.0001°
8. Bruker ContourGT-K光学轮廓仪:垂直扫描速度100μm/s,支持ISO 25178参数组
9. Shimadzu HMV-G21显微硬度计:载荷范围10gf-2000gf,符合ASTM E384标准
10. Oxford Instruments Symmetry EBSD探测器:采集速度4000pps@120fps
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与"晶体小面检测"相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。
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