寄生晶体管检测

检测项目

1. 阈值电压漂移量：测量范围±2.5V@Vds=5V, Id=1μA

2. 漏极-源极漏电流：精度0.1pA@25℃, 最大量程100μA

3. 击穿电压耐受值：DC 0-500V可调, 步进精度±0.5%

4. 栅极电容非线性度：测试频率1MHz-1GHz, 分辨率0.01pF

5. 热阻系数偏差：ΔRth-JC≤15% @Tjmax=150℃

检测范围

1. 硅基CMOS集成电路的场氧寄生晶体管效应

2. GaN功率器件的动态导通电阻异常现象

3. IGBT模块的闩锁效应触发阈值测定

4. MEMS传感器中的PN结反向漏电流监测

5. 射频微波器件栅极边缘泄漏电流分析

检测方法

ASTM F1241-22《半导体器件电学特性标准测试方法》

IEC 60749-25:2021《半导体器件热特性测量规范》

GB/T 17573-202X《半导体器件分立器件和集成电路第X部分》

JEDEC JESD22-A108F《温度循环可靠性试验标准》

ISO 16750-4:2023《道路车辆电气电子设备环境条件》

检测设备

Keysight B1500A半导体参数分析仪：支持100fA级微弱电流测量

Thermo Fisher Scientific iN10 MX显微红外热像仪：空间分辨率3μm@5x物镜

Olympus BX53M金相显微镜：配备500万像素CCD及EDX分析模块

Tektronix DMM6500六位半数字万用表：基本DC精度0.0024%

FLIR A655sc高速红外热像仪：帧频180Hz@640×480分辨率

Agilent 4294A精密阻抗分析仪：频率范围40Hz-110MHz

ESPEC PL-3KPH温控试验箱：温度范围-70℃~+180℃±0.5℃

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"寄生晶体管检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。