检测项目

1. 数据完整性校验：CRC32/64循环冗余校验位验证（16-256位校验码长度）

2. 读写速度测试：顺序读写（50MB/s-7GB/s）与随机读写（10K-1M IOPS）性能验证

3. 误码率分析：BER≤1E-12级别精度测试（10^12比特数据量级）

4. 信号完整性检测：眼图张开度≥0.7UI（3.3V TTL电平标准）

5. 耐久性测试：P/E循环次数验证（NAND闪存3000-100000次循环）

检测范围

1. 半导体存储器：NAND闪存芯片（3D TLC/QLC）、NOR Flash存储器

2. 磁存储介质：硬盘盘片（LMR/PMR技术）、磁带（LTO-9标准）

3. 光存储介质：BD-R蓝光光盘（100GB层压结构）、CD-RW可擦写光盘

4. 电子封装器件：eMMC 5.1模块、UFS 3.1嵌入式存储单元

5. 工业控制模块：PLC非易失性存储器（-40℃~85℃宽温域）

检测方法

ASTM F2182-19闪存器件数据保持力测试标准（85℃/85%RH环境试验）

ISO/IEC 29125:2017光介质加速老化测试方法（50℃/80%RH湿热循环）

GB/T 26225-2010信息技术设备可靠性试验方法（MTBF≥30000小时验证）

JESD218B固态硬盘耐久性测试规范（工作负载写入放大系数≤3.0）

GB/T 34945-2017存储介质消磁安全技术要求（剩磁强度≤0.1mT）

检测设备

Keysight DCA-X86100D高速信号分析仪（70GHz带宽眼图测试）

Tektronix AWG70002A任意波形发生器（24GS/s信号注入能力）

Advantest T5830存储芯片测试系统（并行256通道ECC验证）

Anritsu MP1900A误码率测试仪（28Gbps NRZ信号分析）

Thermo Scientific HAAKE烘箱（-70℃~180℃温循试验箱）

ESPEC PL-3KPH光照老化箱（50000Lux照度模拟）

Chroma 7120电源模拟器（±1mV电压精度纹波测试）

NI PXIe-4139源测量单元（7½位数字万用表集成模块）

X-Ray XT H225 ST工业CT（5μm分辨率非破坏性检测）

Olympus LEXT OLS5000激光共聚焦显微镜（120nm纵向分辨率）

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与读写校验检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。