检测项目

1.晶粒尺寸分布：测量平均晶粒直径（10-500μm），统计D10/D50/D90分位值

2.取向偏差角：测定晶面（100）/（111）取向偏离度（≤3）

3.缺陷密度：定量位错密度（＜110⁴/cm）、层错率（＜0.1%）

4.表面粗糙度：Ra≤0.5μm（2020μm扫描区域）

5.电阻率均匀性：四探针法测量面电阻波动率（5%）

检测范围

1.光伏级多晶硅衬底（156156mm标准片）

2.第三代半导体碳化硅衬底（4-8英寸直径）

3.氮化镓异质外延用蓝宝石衬底（2-6英寸c面）

4.LED用氧化锌透明导电衬底

5.MEMS器件用多晶硅薄膜衬底（厚度200-500μm）

检测方法

1.ASTME112-13晶粒度测定电子背散射衍射法

2.ISO14606:2015X射线衍射极图取向分析

3.GB/T3505-2009表面粗糙度激光干涉仪测量规范

4.ASTMF1529-20四探针电阻率测试规程

5.GB/T34879-2017半导体材料缺陷腐蚀显示方法

检测设备

1.HitachiSU5000场发射扫描电镜（FESEM）：纳米级表面形貌与能谱分析

2.BrukerD8DiscoverX射线衍射仪：晶体结构及织构分析

3.KLATencorP-7表面轮廓仪：0.1nm分辨率三维形貌重建

4.KeysightB1500A半导体参数分析仪：I-V/C-V特性测试

5.OlympusLEXTOLS5000激光共聚焦显微镜：非接触式粗糙度测量

6.ThermoFisheriCAPRQICP-MS：痕量金属杂质分析

7.Agilent5500原子力显微镜：亚埃级表面原子排布观测

8.FourDimensions2800系列四探针台：自动多点电阻率测绘

9.LeicaDM8000M金相显微镜：1000明暗场缺陷观测

10.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系统：晶体取向自动标定