1.正向导通电压(VF):测量范围0.3-1.2V@10mA-1A
2.反向击穿电压(VBR):测试范围5-500V@1μA-10mA
3.动态响应时间(trr):纳秒级测试(10ns-100μs)
4.结电容(Cj):量程0.1pF-100nF@1MHz
5.温度系数(TC):-55℃~+175℃环境下的VBR漂移量
6.漏电流(IR):0.01μA-10mA@80%VBR
1.硅基二极管限幅器(通用型/高速型)
2.锗基高频限幅二极管
3.TVS瞬态抑制二极管
4.肖特基势垒限幅器
5.PIN结构微波限幅器
1.VF测试依据GB/T6571-2014《半导体器件分立器件测试方法》第4.3节
2.VBR测试采用IEC60747-1:2006《半导体器件通用规范》第IV部分
3.trr测量参照MIL-STD-750F方法3026高速脉冲测试法
4.Cj测试执行GB/T4586-94《半导体器件机械和气候试验方法》附录B
5.温度特性试验符合JEDECJESD22-A108E温度循环标准
1.KeysightB1505A功率器件分析仪:IV特性曲线扫描(0.1fA-10A/0.5μV-3000V)
2.TektronixMDO3104混合域示波器:100MHz带宽动态响应波形捕获
3.AgilentE4980A精密LCR表:0.05%基本精度电容测量
4.Chroma19053耐压测试仪:5000VAC/6000VDC绝缘耐压测试
5.ESPECSH-642温箱:0.5℃温控精度环境模拟
6.PicotestJ2112A脉冲发生器:10ns上升沿高速脉冲激励源
7.Fluke8846A六位半数显万用表:0.002%直流精度测量
8.RIGOLDG4162函数发生器:12bit分辨率信号输出
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与"二极管限幅器检测"相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。