检测项目
1.正向导通电压（VF）：测量范围0.3-1.2V@10mA-1A
2.反向击穿电压（VBR）：测试范围5-500V@1μA-10mA
3.动态响应时间（trr）：纳秒级测试（10ns-100μs）
4.结电容（Cj）：量程0.1pF-100nF@1MHz
5.温度系数（TC）：-55℃~+175℃环境下的VBR漂移量
6.漏电流（IR）：0.01μA-10mA@80%VBR
检测范围
1.硅基二极管限幅器（通用型/高速型）
2.锗基高频限幅二极管
3.TVS瞬态抑制二极管
4.肖特基势垒限幅器
5.PIN结构微波限幅器
检测方法
1.VF测试依据GB/T6571-2014《半导体器件分立器件测试方法》第4.3节
2.VBR测试采用IEC60747-1:2006《半导体器件通用规范》第IV部分
3.trr测量参照MIL-STD-750F方法3026高速脉冲测试法
4.Cj测试执行GB/T4586-94《半导体器件机械和气候试验方法》附录B
5.温度特性试验符合JEDECJESD22-A108E温度循环标准
检测设备
1.KeysightB1505A功率器件分析仪：IV特性曲线扫描（0.1fA-10A/0.5μV-3000V）
2.TektronixMDO3104混合域示波器：100MHz带宽动态响应波形捕获
3.AgilentE4980A精密LCR表：0.05%基本精度电容测量
4.Chroma19053耐压测试仪：5000VAC/6000VDC绝缘耐压测试
5.ESPECSH-642温箱：0.5℃温控精度环境模拟
6.PicotestJ2112A脉冲发生器：10ns上升沿高速脉冲激励源
7.Fluke8846A六位半数显万用表：0.002%直流精度测量
8.RIGOLDG4162函数发生器：12bit分辨率信号输出